专利名称: |
运用红外热成像显微镜侦测芯片失效的除错方法 |
摘要: |
本发明运用红外热成像显微镜侦测芯片失效的除错方法,包括步骤:提供芯片和隔热片,将隔热片放置于芯片上,且隔热片全部遮蔽芯片的正面,芯片正常发热的热量小于芯片上失效点发热的热量,隔热片的隔热范围介于芯片正常发热的热量与芯片上失效点发热的热量之间;给芯片通电;提供红外热成像显微镜,使用红外热成像显微镜观察并拍摄已放置隔热片的芯片,得到图像。本发明运用红外热成像显微镜侦测芯片失效的除错方法,通过热点定位过程中增加的隔热片,从而避免了芯片产生的过多热杂讯干扰的可能性,利于提高芯片失效分析的准确性。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
上海;31 |
申请人: |
宜特(上海)检测技术有限公司 |
发明人: |
陈清陇;潘健成;陈博治 |
专利状态: |
有效 |
发布日期: |
2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201810357317.9 |
公开号: |
CN108918589A |
代理机构: |
上海唯源专利代理有限公司 31229 |
代理人: |
曾耀先 |
分类号: |
G01N25/72(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N25;G01N25/72 |
申请人地址: |
201103 上海市闵行区宜山路1618号8幢C101室 |
主权项: |
1.一种运用红外热成像显微镜侦测芯片失效的除错方法,其特征在于,包括:提供芯片和隔热片,将所述隔热片放置于所述芯片上,且所述隔热片全部遮蔽所述芯片的正面,所述芯片正常发热的热量小于所述芯片上失效点发热的热量,所述隔热片的隔热范围介于所述芯片正常发热的热量与所述芯片上失效点发热的热量之间;给所述芯片通电;提供红外热成像显微镜,使用所述红外热成像显微镜观察并拍摄已放置所述隔热片的所述芯片,得到图像。 |
所属类别: |
发明专利 |