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面内各向异性晶体晶轴定向方法及设备
| 专利名称： | 面内各向异性晶体晶轴定向方法及设备 |
| 摘要： | 本公开提供一种面内各向异性晶体材料晶轴定向方法及设备，包括：步骤A：在被测晶体的被测表面上设置基准方位线；步骤B：利用偏振光照射被测晶体的被测表面并接收反射光；步骤C：改变偏振光的偏振角度，利用不同偏振角度下的反射光强度计算不同偏振角度下的反射差分信号强度；步骤D：利用曲线对不同偏振角度下的反射差分信号强度进行拟合；以及步骤E：根据拟合曲线得出晶轴方向与基准方位线之间的夹角。本公开提供的面内各向异性晶体晶轴定向方法及设备将光学反射差分技术用于晶轴方向的确定，能够有效缓解现有技术中的晶轴定向方法测试流程复杂，精度低，使用条件严格的技术问题。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 天津;12 |
| 申请人： | 天津大学 |
| 发明人： | 胡春光;孙兆阳;沈万福;霍树春;胡晓东;胡小唐 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810151148.3 |
| 公开号： | CN108398386A |
| 代理机构： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
| 代理人： | 曹玲柱 |
| 分类号： | G01N21/21(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/21 |
| 申请人地址： | 300072 天津市南开区卫津路92号 |
| 主权项： | 1.一种面内各向异性晶体晶轴定向方法，包括：步骤A：在被测晶体的被测表面上设置基准方位线；步骤B：利用偏振光照射被测晶体的被测表面并接收反射光；步骤C：改变偏振光的偏振角度，利用不同偏振角度下的反射光强度计算不同偏振角度下的反射差分信号强度；步骤D：利用曲线对不同偏振角度下的反射差分信号强度进行拟合；以及步骤E：根据拟合曲线得出晶轴方向与基准方位线之间的夹角。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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