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原文传递一种高压电容阵列传感器

专利名称：	一种高压电容阵列传感器
摘要：	本发明涉及一种高压电容阵列传感器，其特征在于主要包括五个部分：其特征在于主要包括五个部分：金属外壳，用于承压和外屏蔽；聚四氟乙烯内管，内部为被测场域，外表面用于支撑电极阵列；固体胶，灌注与金属外壳与聚四氟乙烯内管之间，用于密封和承压；电极阵列，由固体胶固定于聚四氟乙烯内管外壁；引线口，用于引出屏蔽线，屏蔽线中信号线一端连接电极阵列，一端连接测量电路，屏蔽线中屏蔽部分接金属外壳并接地；屏蔽线数量与电极数量相同。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	北京;11
申请人：	北京航空航天大学
发明人：	孙世杰;徐立军;曹章;何玉珠
专利状态：	有效
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201810096034.3
公开号：	CN108398465A
分类号：	G01N27/22(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/22
申请人地址：	100191 北京市海淀区学院路37号
主权项：	1.一种高压电容阵列传感器，其特征在于主要包括五个部分：金属外壳，用于承压和外屏蔽；聚四氟乙烯内管，内部为被测场域，外表面用于支撑电极阵列；固体胶，灌注与金属外壳与聚四氟乙烯内管之间，用于密封和承压；电极阵列，包括测量电极和屏蔽电极，测量电极沿内管轴向分为两组，每组均匀分布N个金属电极，两组电极中间及两端设置总共三个轴向屏蔽电极并接地，由固体胶固定于聚四氟乙烯内管外壁；引线口，用于引出屏蔽线，屏蔽线中信号线一端连接电极阵列，一端连接测量电路，屏蔽线中屏蔽部分接金属外壳并接地；屏蔽线数量与电极数量相同。
所属类别：	发明专利