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氧化还原反应检测装置及其制造方法
| 专利名称： | 氧化还原反应检测装置及其制造方法 |
| 摘要： | 本发明提出一种氧化还原反应检测装置及其制造方法。氧化还原反应检测装置包括第一电极、至少一检测结构以及第二电极。第一电极位于衬底上。至少一检测结构位于第一电极与衬底上。至少一检测结构包括金属纳米线层与金属氧化物层。金属纳米线层配置在第一电极与衬底上。金属氧化物层包覆金属纳米线层。第二电极位于至少一检测结构上。通过检测装置中的金属氧化物层以及金属纳米线层均参与检测氧化还原反应，以提高检测装置的检测灵敏度与检测范围。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 中国台湾;71 |
| 申请人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 发明人： | 蔡明志;何羽轩;朱彦瑞;谢明宏 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201710058375.7 |
| 公开号： | CN108344790A |
| 代理机构： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
| 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 分类号： | G01N27/416(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;G;B;G01;B82;G01N;B82Y;G01N27;B82Y30;B82Y40;G01N27/416;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 申请人地址： | 中国台湾台中市大雅区科雅一路8号 |
| 主权项： | 1.一种氧化还原反应检测装置，其特征在于，包括：第一电极，位于衬底上；至少一检测结构，位于所述第一电极与所述衬底上，所述至少一检测结构包括：金属纳米线层，配置在所述第一电极与所述衬底上；以及金属氧化物层，包覆所述金属纳米线层；以及第二电极，位于所述至少一检测结构上。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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