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原文传递 像增强型全光固体超快成像探测器
专利名称: 像增强型全光固体超快成像探测器
摘要: 本发明属于超快诊断技术领域,具体涉及一种像增强型全光固体超快成像探测器。该探测器包括外壳以及真空封装在外壳内部的光电阴极和半导体超快探测芯片;外壳的一端设置输入窗口,外壳的另一端设置输出窗口,所述光电阴极位于靠近输入窗口的一端,所述半导体超快探测芯片位于靠近输出窗口的一端;所述光电阴极和半导体超快探测芯片之间设置有一片或者多片微通道板。本发明解决了现有的全光固体超快诊断技术探测灵敏度低的技术问题。结合了基于微通道板的微光像增强技术和基于半导体辐射光学效应的全光固体超快成像技术,通过微通道板的倍增功能和全光固体超快探测芯片的高时间分辨特性,可以实现弱光条件下的高时间分辨成像。
专利类型: 发明专利
国家地区组织代码: 陕西;61
申请人: 中国科学院西安光学精密机械研究所
发明人: 何凯;田进寿;汪韬;韦永林;徐向晏;卢裕;闫欣;王兴;尹飞;刘虎林;陈萍;温文龙;辛丽伟;王超;王俊锋;赛小锋
专利状态: 有效
发布日期: 2019-01-01T00:00:00+0800
申请号: CN201810107156.8
公开号: CN108254349A
代理机构: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211
代理人: 陈广民
分类号: G01N21/64(2006.01)I;H01J43/24(2006.01)I;G;H;G01;H01;G01N;H01J;G01N21;H01J43;G01N21/64;H01J43/24
申请人地址: 710119 陕西省西安市高新区新型工业园信息大道17号
主权项: 1.一种像增强型全光固体超快成像探测器,其特征在于:包括外壳以及真空封装在外壳内部的光电阴极和半导体超快探测芯片;外壳的一端设置输入窗口,外壳的另一端设置输出窗口,所述光电阴极位于靠近输入窗口的一端,所述半导体超快探测芯片位于靠近输出窗口的一端;所述光电阴极和半导体超快探测芯片之间设置有一片或者多片微通道板。
所属类别: 发明专利
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