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原文传递倒像式像增强型超快成像探测器

专利名称：	倒像式像增强型超快成像探测器
摘要：	本发明涉及一种倒像式像增强型超快成像探测器，克服了现有的双近贴结构中半导体芯片容易真空击穿的问题。该探测器包括外壳、输入窗口、输出窗口、光电阴极、第一静电聚焦电极、微通道板、第二静电聚焦电极和半导体探测芯片；外壳的两端分别设置有输入窗口以及输出窗口；输入窗口内表面镀有一层导电薄膜，光电阴极制作于导电薄膜上；半导体探测芯片紧贴输出窗口内表面设置；光电阴极与半导体探测芯片之间依次设置有第一静电聚焦电极、微通道板以及第二静电聚焦电极；第一静电聚焦电极和第二静电聚焦电极相同；微通道板的输入面和输出面加载工作电压。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	陕西;61
申请人：	中国科学院西安光学精密机械研究所
发明人：	田进寿;徐向晏;卢裕;王兴;刘虎林;陈萍;温文龙;王超;王俊峰;赛小锋;何凯;高贵龙;汪韬;闫欣;辛丽伟;李少辉;尹飞;韦永林
专利状态：	有效
申请日期：	2019-07-29T00:00:00+0800
发布日期：	2019-11-22T00:00:00+0800
申请号：	CN201910688741.6
公开号：	CN110487757A
代理机构：	西安智邦专利商标代理有限公司
代理人：	唐沛
分类号：	G01N21/64(2006.01);G;G01;G01N;G01N21
申请人地址：	710119 陕西省西安市高新区新型工业园信息大道17号
主权项：	1.一种倒像式像增强型超快成像探测器，其特征在于：包括外壳、输入窗口、输出窗口、光电阴极、第一静电聚焦电极、微通道板、第二静电聚焦电极和半导体探测芯片；外壳的两端分别设置有输入窗口以及输出窗口；输入窗口内表面镀有一层导电薄膜，光电阴极制作于导电薄膜上；半导体探测芯片紧贴输出窗口内表面设置；光电阴极与半导体探测芯片之间依次设置有第一静电聚焦电极、微通道板以及第二静电聚焦电极；第一静电聚焦电极和第二静电聚焦电极相同；微通道板的输入面和输出面加载工作电压。 2.根据权利要求1所述的倒像式像增强型超快成像探测器，其特征在于：所述第一静电聚焦电极和第二静电聚焦电极为双圆筒结构或双球体结构。 3.根据权利要求2所述的倒像式像增强型超快成像探测器，其特征在于：所述半导体探测芯片包括沿信号传输方向依次设置的调制光栅，铝膜，半导体超快响应材料以及增透膜。 4.根据权利要求3所述的倒像式像增强型超快成像探测器，其特征在于：所述调制光栅采用金属材料，光栅周期选用50～100l p/mm。 5.根据权利要求4所述的倒像式像增强型超快成像探测器，其特征在于：所述铝膜厚度为100～200nm。 6.根据权利要求5所述的倒像式像增强型超快成像探测器，其特征在于：所述半导体超快响应材料采用低温外延生长的GaAs材料。 7.根据权利要求6所述的倒像式像增强型超快成像探测器，其特征在于：所述半导体超快响应材料厚度为5μm。 8.根据权利要求7所述的倒像式像增强型超快成像探测器，其特征在于：所述外壳采用金属陶瓷制作。 9.根据权利要求8所述的倒像式像增强型超快成像探测器，其特征在于：所述光电阴极可根据信号光波段选择响应的材料，其厚度为3～5mm；导电薄膜的厚度为100nm。 10.根据权利要求9所述的倒像式像增强型超快成像探测器，其特征在于：所述微通道板为单片或多片构成。
所属类别：	发明专利