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管内电缆导体局部缺陷的连续无损检测装置
| 专利名称： | 管内电缆导体局部缺陷的连续无损检测装置 |
| 摘要： | 本发明公开了一种管内电缆导体局部缺陷的连续无损检测装置，其体征在于：磁场检测器为前、后、上、下四排霍尔传感器构成的方形霍尔传感器阵列；管内电缆导体依次穿过杜瓦一端的检测入口、励磁线圈的中心、方形霍尔传感器阵列的中心，再从杜瓦另一端的检测出口穿出；所述管内电缆导体的检测入口侧与管内电缆导体的推送机构相连。该装置能够连续无损地检测出管内电缆导体的局部缺陷，从而为超导电缆的绞缆、挤压成型工艺的制定，提供可靠的实验数据；也能在管内电缆导体制备过程中进行局部缺陷的在线实时无损检测，以提高管内电缆导体的性能、使用寿命和可靠性。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 四川;51 |
| 申请人： | 西南交通大学 |
| 发明人： | 赵勇;陈炜;李建刚;羊新胜 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810141937.9 |
| 公开号： | CN108279267A |
| 代理机构： | 成都博通专利事务所 51208 |
| 代理人： | 陈树明 |
| 分类号： | G01N27/83(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/83 |
| 申请人地址： | 610031 四川省成都市二环路北一段111号 |
| 主权项： | 1.一种管内电缆导体局部缺陷的连续无损检测装置，包括杜瓦(3)、杜瓦(3)一端的检测入口(3a)、杜瓦(3)另一端的检测出口(3b)，杜瓦(3)内靠近检测入口(3a)的励磁线圈(1)、杜瓦(3)内靠近检测出口(3a)的磁场检测器，与励磁线圈(1)及磁场检测器电连接的数据采集控制装置，其体征在于：所述的磁场检测器为前、后、上、下四排霍尔传感器构成的方形霍尔传感器阵列(2)；管内电缆导体(4)依次穿过杜瓦(3)一端的检测入口(3a)、励磁线圈(1)的中心、方形霍尔传感器阵列(2)的中心，再从杜瓦(3)另一端的检测出口(3b)穿出；所述管内电缆导体(4)的检测入口(3a)侧与管内电缆导体的推送机构(8)相连。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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