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单切换激励模式的电容层析成像装置
| 专利名称： | 单切换激励模式的电容层析成像装置 |
| 摘要： | 本实用新型涉及层析成像技术领域，尤其涉及一种单切换激励模式的电容层析成像装置，包括静电耦合电容双模复用阵列传感器、电容信号调理模块、数据采集模块、成像计算机；静电耦合电容双模复用阵列传感器、电容信号调理模块、数据采集模块、成像计算机顺序连接。本实用新型采用激励电极与检测电极分开设计方案，在传感器正常工作时通过单独切换激励电极获得各电极对间的电容值，而不需要在检测电极上连接切换开关电路，从而在实现管道截面颗粒介质分布在线测量的同时，不影响传感器中低频静电信号的采集。 |
| 专利类型： | 实用新型 |
| 国家地区组织代码： | 江苏;32 |
| 申请人： | 扬州大学 |
| 发明人： | 王胜南;许传龙;李健;唐鸿儒;李敏艳 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201820650859.0 |
| 公开号： | CN208224154U |
| 代理机构： | 扬州苏中专利事务所(普通合伙) 32222 |
| 代理人： | 许必元 |
| 分类号： | G01N27/22(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/22 |
| 申请人地址： | 225009 江苏省扬州市大学南路88号 |
| 主权项： | 1.单切换激励模式的电容层析成像装置，其特征是，所述成像装置包括静电耦合电容双模复用阵列传感器、电容信号调理模块、数据采集模块、成像计算机；静电耦合电容双模复用阵列传感器、电容信号调理模块、数据采集模块、成像计算机顺序连接；所述静电耦合电容双模复用阵列传感器包括16个静电‑电容双模复用弧状检测电极和8个电容激励电极；16个静电‑电容双模复用弧状检测电极分别为S11，S12，S13，S14，S15，S16，S17，S18，S21，S22，S23，S24，S25，S26，S27，S28； S11，S12，S13，S14，S15，S16，S17，S18组成上游检测电极组，S21，S22，S23，S24，S25，S26，S27，S28组成下游检测电极组，每组8个静电‑电容双模复用弧状检测电极均匀周向布置在传感器管道上，单个静电‑电容双模复用弧状检测电极轴向设置，上游检测电极组的8个检测电极与下游检测电极组的8个检测电极一一相对设置构成双阵列结构；所述8个电容激励电极为E1，E2，E3，E4，E5，E6，E7，E8；单个电容激励电极轴向设置，8个电容激励电极均匀周向布置在传感器管道上，电容激励电极与静电‑电容双模复用弧状检测电极间隔设置。 |
| 所属类别： | 实用新型 |
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