专利名称: |
一种电容层析成像系统 |
摘要: |
本实用新型属于电容层析成像技术领域,具体涉及一种电容层析成像系统,其包括电容层析成像传感器、信号处理部分和成像部分;电容层析成像传感器包括内管以及设置在内管外围的屏蔽罩,内管和屏蔽罩之间设有多个电极片;信号处理部分包括前端放大滤波电路、FPGA,成像部分为ARM处理器和显示屏,前端放大滤波电路位于屏蔽罩之外,且固定在电容层析成像传感器上;前端放大滤波电路与电极片一一对应,且通过屏蔽线缆相连;前端放大滤波电路、开关切换阵列、CV转换电路、第一滤波放大电路、模数转换器ADC、FPGA依次连接;FPGA控制开关切换阵列的切换。该电容层析成像系统,可对微弱信号提取,在信号传输前滤波加强,提高检测精度。 |
专利类型: |
实用新型 |
国家地区组织代码: |
广东;44 |
申请人: |
深圳市联恒星科技有限公司 |
发明人: |
李轶;黄晓清 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2018-11-02T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-08-09T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201821805532.2 |
公开号: |
CN209231255U |
代理机构: |
北京市诚辉律师事务所 |
代理人: |
范盈 |
分类号: |
G01N27/22(2006.01);G;G01;G01N;G01N27 |
申请人地址: |
518057 广东省深圳市南山区粤海街道科技园北区清华信息港科研楼107H3 |
主权项: |
1.一种电容层析成像系统,其特征在于: 包括电容层析成像传感器、信号处理部分和成像部分; 电容层析成像传感器包括内管(1)以及设置在内管(1)外围的屏蔽罩(2),所述内管(1)和屏蔽罩(2)之间设有多个电极片(3),多个电极片(3)在内管(1)的外壁上圆周均布; 信号处理部分包括前端放大滤波电路(4)、开关切换阵列(5)、CV转换电路(6)、第一滤波放大电路(7)、模数转换器ADC(8)和FPGA(9); 前端放大滤波电路(4)位于屏蔽罩(2)之外,且固定在电容层析成像传感器上;前端放大滤波电路(4)与电极片(3)一一对应,且通过屏蔽线缆(10)相连;前端放大滤波电路(4)、开关切换阵列(5)、CV转换电路(6)、第一滤波放大电路(7)、模数转换器ADC(8)、FPGA(9)依次连接;FPGA(9)控制开关切换阵列(5)的切换; 所述成像部分为ARM处理器(11)和显示屏(12);FPGA(9)与ARM处理器(11)数字通信连接;所述显示屏(12)与ARM处理器(11)通信连接。 2.根据权利要求1所述的一种电容层析成像系统,其特征在于:还包括第二滤波放大电路(13)、数模转换器DAC(14),第二滤波放大电路(13)的两端分别与开关切换阵列(5)、数模转换器DAC(14)输出端相连,数模转换器DAC(14)的输入端与FPGA(9)相连。 3.根据权利要求1所述的一种电容层析成像系统,其特征在于:所述内管(1)为PVC管。 4.根据权利要求1至3任一所述的一种电容层析成像系统,其特征在于:所述电极片(3)的数量为八个。 5.根据权利要求4所述的一种电容层析成像系统,其特征在于:所述电极片(3)为铜电极片。 6.根据权利要求5所述的一种电容层析成像系统,其特征在于:所述内管(1)的内径为62mm,外径为72mm。 |
所属类别: |
实用新型 |