专利名称: |
一种分析铵根离子浓度的方法 |
摘要: |
本发明提供了一种分析铵根离子浓度的方法,应用于对待测溶液中的铵根离子进行分析;其中包括以下步骤:根据每个第一标准溶液中的铵根离子的浓度以及铵根离子的峰面积构建一第一分析模型;根据每个第二标准溶液中的铵根离子的浓度以及铵根离子的峰面积构建一第二分析模型;获取待测容液中的铵根离子的峰面积,根据待测溶液的峰面积的范围于第一分析模型和第二分析模型中选择一对应的分析模型,通过选择的分析模型分析获取待测溶液中的铵根离子的浓度。其技术方案的有益效果在于,通过采取分段分析待测溶液铵根离子浓度的方法,克服了现有技术中,对待测溶液进行铵根离子分析操作复杂且容易带来污染的问题。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
上海;31 |
申请人: |
上海华力微电子有限公司 |
发明人: |
宋健;周洁;姜舜 |
专利状态: |
有效 |
发布日期: |
2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201810242208.2 |
公开号: |
CN108627607A |
代理机构: |
上海申新律师事务所 31272 |
代理人: |
俞涤炯 |
分类号: |
G01N30/96(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N30;G01N30/96 |
申请人地址: |
201200 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |
主权项: |
1.一种分析铵根离子浓度的方法,应用于对待测溶液中的铵根离子进行分析;其特征在于,提供一铵根离子浓度在第一浓度范围的多个第一标准溶液,以及一铵根离子浓度在第二浓度范围的多个第二标准溶液,包括以下步骤:步骤S1、对多个所述第一标准溶液中的铵根离子进行检测,以获取每个所述第一标准溶液中的所述铵根离子的峰面积;步骤S2、根据每个所述第一标准溶液中的所述铵根离子的浓度以及铵根离子的峰面积构建一第一分析模型;步骤S3、对多个所述第二标准溶液中的铵根离子进行检测,以获取每个所述第二标准溶液中的所述铵根离子的峰面积;步骤S4、根据每个所述第二标准溶液中的所述铵根离子的浓度以及铵根离子的峰面积构建一第二分析模型;步骤S5、获取所述待测容液中的所述铵根离子的峰面积,根据所述待测溶液的峰面积的范围于所述第一分析模型和所述第二分析模型中选择一对应的分析模型,通过选择的所述分析模型分析获取所述待测溶液中的铵根离子的浓度。 |
所属类别: |
发明专利 |