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一种基于有机-无机量子点P-N异质结构的分子印迹光电化学传感器及其制备方法和应用
| 专利名称： | 一种基于有机-无机量子点P-N异质结构的分子印迹光电化学传感器及其制备方法和应用 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于半导体有机聚合物量子点和无机硫化镉量子点异质结构的分子印迹光电化学传感器及其制备方法和在α‑Solanine毒素检测中的应用。本发明通过理论计算来确定异质结构材料的能带位置，设计出合理的P‑N异质结构，并将分子印迹技术与光电化学相结合，最后成功制备出了分子印迹光电化学传感器。本发明制备的传感器以半导体有机聚合物量子点(Pdots)和无机硫化镉量子点(CdS)形成的P‑N异质结构材料作为光电转换层，通过表面修饰含有毒素识别位点的分子印迹膜来实现龙葵碱的检测。该传感器具有检测范围宽，选择性好，灵敏度高，检测限高达6.51pg·mL‑1；同时响应稳定，具有良好的重现性。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 湖北;42 |
| 申请人： | 湖北大学 |
| 发明人： | 毛乐宝;张修华;文为;何汉平;王升富 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201811021429.3 |
| 公开号： | CN109001281A |
| 代理机构： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 |
| 代理人： | 杨采良 |
| 分类号： | G01N27/327(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/327 |
| 申请人地址： | 430062 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号 |
| 主权项： | 1.一种基于有机‑无机量子点P‑N异质结构的分子印迹光电化学传感器，其特征在于：所述传感器包括工作电极，以及依次涂覆在所述电极表面的硫化镉量子点层、半导体聚合物量子点层和分子印迹聚合物膜层。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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