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基于氧化石墨烯和硫化镉量子点异质结构的分子印迹光电化学传感器及其制备方法和应用
| 专利名称： | 基于氧化石墨烯和硫化镉量子点异质结构的分子印迹光电化学传感器及其制备方法和应用 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于氧化石墨烯和硫化镉量子点异质结构的分子印迹光电化学传感器及其制备方法和在Fumonisin B1(FB1)毒素方面的检测。本发明制备的传感器以氧化石墨烯和硫化镉量子点异质结构作为光电转换层，表面修饰含有毒素识别位点的分子印迹膜来实现FB1毒素的检测，其具有检测范围宽，灵敏度高，选择性好的优点。另外，本发明通过理论计算来确定异质结构材料的能带位置，并将分子印迹技术与光电化学相结合，最后将制备得到的传感器用于Fumonisin B1毒素的检测，检测限可达4.73pg·mL‑1，且响应稳定，检测方法具有良好的重现性。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 湖北;42 |
| 申请人： | 湖北大学 |
| 发明人： | 张修华;毛乐宝;文为;河汉平;王升富 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810606336.0 |
| 公开号： | CN108828036A |
| 代理机构： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 |
| 代理人： | 杨采良 |
| 分类号： | G01N27/30(2006.01)I;G01N27/327(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/30;G01N27/327 |
| 申请人地址： | 430062 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号 |
| 主权项： | 1.一种基于氧化石墨烯和硫化镉量子点异质结构的分子印迹光电化学传感器，其特征在于：所述传感器包括工作电极，以及依次涂覆在所述电极表面的基于氧化石墨烯和硫化镉量子点异质结构光电转换层和分子印迹聚合物膜层。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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