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一种基于CdTe/ZnO纳米异质结结构的NO2气敏传感器的制备方法
| 专利名称： | 一种基于CdTe/ZnO纳米异质结结构的NO2气敏传感器的制备方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于CdTe/ZnO纳米异质结结构的NO2气敏传感器的制备方法。该方法首先通过射频磁控溅射法在单晶硅基底上溅射ZnO晶种层，然后利用水热法在ZnO晶种层上生长ZnO纳米线阵列，随后再通过连续离子层吸附反应法合成CdTe纳米颗粒并将其修饰在一维的ZnO纳米线上构建CdTe/ZnO纳米异质结结构。在此异质结结构的表面涂覆Ag薄膜电极并连接导线，制备出具有高灵敏度、良好稳定性、低成本的NO2气敏传感器。本方法制备的NO2气敏传感器可利用异质结效应、纳米效应、费米能级效应等，降低传统ZnO气敏传感器的工作温度，提升气敏性能，且响应值最高能达30％以上，具有重要的研究意义与可观的应用前景。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 清华大学 |
| 发明人： | 李正操;王亚子;李明阳;冯一盟 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810852258.2 |
| 公开号： | CN109030578A |
| 代理机构： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 |
| 代理人： | 张文宝 |
| 分类号： | G01N27/12(2006.01)I;G01N21/63(2006.01)I;G01N23/2251(2018.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N21;G01N23;G01N27/12;G01N21/63;G01N23/2251 |
| 申请人地址： | 100084 北京市海淀区100084-82信箱 |
| 主权项： | 1.一种基于CdTe/ZnO纳米异质结结构的NO2气敏传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)对单晶硅基底进行清洗预处理；(2)在步骤(1)预处理后的单晶硅基底上利用射频磁控溅射法生长氧化锌晶种层；(3)利用水热法在步骤(2)所得晶种层上生长氧化锌纳米线阵列；(4)分别配置含Cd离子和Te离子的前驱体溶液；(5)将步骤(3)所得氧化锌纳米线阵列分别置于步骤(4)配置的前驱体溶液中浸泡通过连续离子层吸附反应法得到CdTe/ZnO纳米异质结结构；(6)在步骤(5)所得CdTe/ZnO纳米异质结结构表面涂覆Ag薄膜电极，牵引导线制备成NO2气敏传感器。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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