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一种考虑光增强效应的光学晶体表面微缺陷修复方法
| 专利名称： | 一种考虑光增强效应的光学晶体表面微缺陷修复方法 |
| 摘要： | 一种考虑光增强效应的光学晶体表面微缺陷修复方法，涉及一种光学晶体表面微缺陷修复方法。本发明为了解决目前还未实现光学晶体表面微缺陷精密微铣削修复工艺定型的问题。本发明首先采用显微镜对光学晶体表面缺陷点形貌和尺寸进行检测，获得表面待修复缺陷点的横向尺寸和纵向尺寸；通过对比待修复缺陷点的横向尺寸与数控轨迹加工可修复临界尺寸的大小决定微缺陷修复方式；然后基于电磁场理论，建立修复结构诱导光增强的仿真模型，对比分析不同形状和尺寸的修复结构所引起光增强大小，选取光增强最小的修复形状和尺寸规划出最优修复结构；根据已规划的最优修复结构，微铣削加工出相应的修复结构。本发明适用于光学晶体表面微缺陷修复。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 黑龙江;23 |
| 申请人： | 哈尔滨工业大学 |
| 发明人： | 程健;陈明君;杨浩;刘启;肖勇;赵林杰;王廷章;刘志超;王健;许乔 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810517278.4 |
| 公开号： | CN108687977A |
| 代理机构： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 |
| 代理人： | 岳泉清 |
| 分类号： | B28D5/00(2006.01)I;B;B28;B28D;B28D5;B28D5/00 |
| 申请人地址： | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 |
| 主权项： | 1.一种考虑光增强效应的光学晶体表面微缺陷修复方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、采用显微镜对光学晶体表面缺陷点形貌和尺寸进行检测，获得表面待修复缺陷点的横向尺寸w和纵向尺寸d；步骤2、通过对比待修复缺陷点的横向尺寸w与数控轨迹加工可修复临界尺寸w0的大小，决定微缺陷修复方式：当w＞w0时，针对缺陷点设计修复结构并确定采用数控轨迹加工方式对缺陷点进行修复，针对不同的修复结构生成基于层铣和螺旋铣的微铣削修复工艺；当w≤w0时，确定采用高速球刀直接成形的加工方式对缺陷点进行修复去除，形成修复结构；步骤3、基于电磁场理论，建立修复结构诱导光增强的仿真模型，对比分析不同形状和尺寸的修复结构所引起光增强大小，选取光增强最小的修复形状和尺寸规划出最优修复结构；步骤4、根据已规划的最优修复结构，结合步骤2确定的加工方式在光学晶体修复机床上微铣削加工出相应的修复结构。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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