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离子通道路径系统的校正检测方法
| 专利名称： | 离子通道路径系统的校正检测方法 |
| 摘要： | 本发明提供了一种离子通道路径系统的校正检测方法，所述离子通道路径系统的校正检测方法包括：从离子通道路径系统的一端的多个设置点发射激光，在所述离子通道路径系统的另一端的多个对应点处检测所述激光，若检测到所述激光被接收，则离子通道路径系统校正成功，若检测到所述激光未被接收，则离子通道路径系统校正失败。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 上海;31 |
| 申请人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 发明人： | 汪政明;张凌越;徐继六;刘勰 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810483319.2 |
| 公开号： | CN108732638A |
| 代理机构： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
| 代理人： | 屈蘅 |
| 分类号： | G01V8/20(2006.01)I;G;G01;G01V;G01V8;G01V8/20 |
| 申请人地址： | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |
| 主权项： | 1.一种离子通道路径系统的校正检测方法，其特征在于，所述离子通道路径系统的校正检测方法包括：从离子通道路径系统的一端的多个设置点发射激光，在所述离子通道路径系统的另一端的多个对应点处检测所述激光，若检测到所述激光被接收，则离子通道路径系统校正成功，若检测到所述激光未被接收，则离子通道路径系统校正失败。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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