专利名称: |
4H-SiC在制备高压压砧中的应用 |
摘要: |
本发明公开了一种4H‑SiC在制备高压压砧中的应用。本发明将4H‑SiC用于制备高压压砧,进而用于高压下红外吸收光谱分析、高压下紫外‑可见吸收光谱分析和高压下拉曼光谱分析。和现有技术相比,本发明的有益效果在于:利用光谱学方法表征材料在高压环境下的结构、性质时,使用4H‑SiC压砧可以弥补金刚石压砧的不足,甚至远远优于金刚石压砧。4H‑SiC作为高压加载材料一方面大大节约天然资源;另一方面与天然金刚石压砧相比较,使用廉价的人造4H‑SiC制作压砧可以大大促进高压科学研究广泛开展。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
北京;11 |
申请人: |
北京高压科学研究中心 |
发明人: |
王霖;张金波 |
专利状态: |
有效 |
发布日期: |
2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201810547469.5 |
公开号: |
CN108760633A |
代理机构: |
上海正旦专利代理有限公司 31200 |
代理人: |
王洁平 |
分类号: |
G01N21/01(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/01 |
申请人地址: |
100094 北京市海淀区西北旺东路10号C-106 |
主权项: |
1.一种4H‑SiC在制备高压压砧中的应用。 |
所属类别: |
发明专利 |