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4H-SiC在制备高压压砧中的应用
| 专利名称： | 4H-SiC在制备高压压砧中的应用 |
| 摘要： | 本发明公开了一种4H‑SiC在制备高压压砧中的应用。本发明将4H‑SiC用于制备高压压砧，进而用于高压下红外吸收光谱分析、高压下紫外‑可见吸收光谱分析和高压下拉曼光谱分析。和现有技术相比，本发明的有益效果在于：利用光谱学方法表征材料在高压环境下的结构、性质时，使用4H‑SiC压砧可以弥补金刚石压砧的不足，甚至远远优于金刚石压砧。4H‑SiC作为高压加载材料一方面大大节约天然资源；另一方面与天然金刚石压砧相比较，使用廉价的人造4H‑SiC制作压砧可以大大促进高压科学研究广泛开展。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 北京高压科学研究中心 |
| 发明人： | 王霖;张金波 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810547469.5 |
| 公开号： | CN108760633A |
| 代理机构： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 |
| 代理人： | 王洁平 |
| 分类号： | G01N21/01(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/01 |
| 申请人地址： | 100094 北京市海淀区西北旺东路10号C-106 |
| 主权项： | 1.一种4H‑SiC在制备高压压砧中的应用。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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