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一种基于高阻硅的太赫兹衰减全反射检测装置
| 专利名称： | 一种基于高阻硅的太赫兹衰减全反射检测装置 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种基于高阻硅的太赫兹衰减全反射检测装置，包括样品池框架及固定于样品池框架下方的倒置的三棱柱形高阻硅棱镜、所述样品池框架中部具有镂空部，三棱柱形高阻硅棱镜的底面与镂空部形成放置分辨物体的样品池腔室，所述镂空部的上表面可拆连接有样品池盖，利用上述装置能够通过利用太赫兹波在高阻硅棱镜内部发生衰减全反射，而后在棱镜底部形成倏逝波与样品进行反应，从而实现含水、粉末状样品的太赫兹光谱检测，其结构简单、方便调试。应用基于高阻硅的太赫兹衰减全反射检测装置，在分辨物体的组成成分，分析物体的物理化学性质方面具有潜在的工程应用价值。 |
| 专利类型： | 实用新型 |
| 国家地区组织代码： | 福建;35 |
| 申请人： | 福州大学 |
| 发明人： | 钟舜聪;黄异;范学腾;陈伟强 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201821010007.1 |
| 公开号： | CN208297341U |
| 代理机构： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 |
| 代理人： | 蔡学俊;吴志龙 |
| 分类号： | G01N21/3581(2014.01)I;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/3581 |
| 申请人地址： | 350108 福建省福州市闽侯县福州地区大学新区学园路2号 |
| 主权项： | 1.一种基于高阻硅的太赫兹衰减全反射检测装置，其特征在于，包括样品池框架及固定于样品池框架下方的倒置的三棱柱形高阻硅棱镜、所述样品池框架中部具有镂空部，三棱柱形高阻硅棱镜的底面与镂空部形成放置分辨物体的样品池腔室，所述镂空部的上表面可拆连接有样品池盖。 |
| 所属类别： | 实用新型 |
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