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原文传递 一种氧化铟气敏元件的制备方法
专利名称: 一种氧化铟气敏元件的制备方法
摘要: 一种氧化铟气敏元件的制备方法,将In(NO3)3·4.5H2O和(NH4)2SO4固体,溶于醇‑水溶液中,得到混合溶液,将混合溶液在室温至90℃的温度下反应生成白色沉淀;将白色沉淀洗涤、干燥并煅烧,得到氧化铟粉末;将氧化铟粉末和松油醇混合后在玛瑙研钵中充分研磨形成均匀的印刷浆料,用丝网印刷机将印刷浆料印刷到附有金叉指电极的陶瓷基片上,并在电极的两端引出铂丝导线制成气敏元件,置于马弗炉中高温预处理,得到产品。优点是:氧化铟气敏材料的制备工艺简单、成本低且对环境无污染,其形貌可控,通过控制氧化铟的形貌,来实现其对NO2气体的灵敏度控制,制备的气敏传感器可以检测浓度较低的NO2气体。
专利类型: 发明专利
国家地区组织代码: 浙江;33
申请人: 宁波大学
发明人: 吕滨;陈鹏;陈红兵;邹杰;伊斐艳;程红梅;李红霞
专利状态: 有效
发布日期: 2019-01-01T00:00:00+0800
申请号: CN201810270977.3
公开号: CN108760831A
代理机构: 锦州辽西专利事务所(普通合伙) 21225
代理人: 王佳佳
分类号: G01N27/12(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/12
申请人地址: 315211 浙江省宁波市江北区风华路818号
主权项: 1.一种氧化铟气敏元件的制备方法,其特征是:具体步骤是:(1)将In(NO3)3·4.5H2O和(NH4)2SO4固体,溶于醇‑水溶液中,得到混合溶液,其中混合溶液中In(NO3)3的浓度为0.1mol/L‑0.2mol/L,In3+离子和SO42‑的摩尔比为1:1;(2)将步骤(1)中配制的混合溶液在室温至90℃的温度下反应1h‑6h生成白色沉淀;(3)将步骤(2)中所得的白色沉淀洗涤和干燥,并在700℃‑1100℃下煅烧,得到氧化铟粉末;(4)将步骤(3)获得的氧化铟粉末和松油醇混合后在玛瑙研钵中充分研磨形成均匀的印刷浆料,其中氧化铟粉末与松油醇的质量比为1:0.7;(5)用丝网印刷机将步骤(4)的浆料印刷到附有金叉指电极的陶瓷基片上,并在电极的两端引出铂丝导线制成气敏元件;(6)将步骤(5)的气敏元件置于马弗炉中500℃‑600℃高温预处理1h‑2h,除去印刷浆料溶剂。
所属类别: 发明专利
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