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原文传递 无需额外绝缘和弯曲补偿的片式氧传感器及其制备方法
专利名称: 无需额外绝缘和弯曲补偿的片式氧传感器及其制备方法
摘要: 本发明公开了一种无需额外绝缘和弯曲补偿的片式氧传感器,包括从上到下依次叠加烧结而成的多孔及保护层、功能层、空气腔层、结构层和加热层;多孔及保护层的一端为多孔氧化铝基片,另一端为第一氧化铝基片,功能层包括氧化锆基片、内电极和外电极,空气腔层包括第二氧化铝基片和设于其上方的空气腔,结构层包括从上到下依次叠加的第三氧化铝基片、第四氧化铝基片和第五氧化铝基片,加热层包括第六氧化铝基片和设于其上方的加热器。本发明还公开了一种无需额外绝缘和弯曲补偿的片式氧传感器的制备方法。本发明消除芯片弯曲和分层,还无需额外的绝缘补偿,提高了片式氧传感器的成品率和使用寿命以及简化制备工艺。
专利类型: 发明专利
国家地区组织代码: 四川;51
申请人: 成都科锐传感技术有限公司
发明人: 黄涛;包绍明;李婷;余苗
专利状态: 有效
发布日期: 2019-01-01T00:00:00+0800
申请号: CN201810574285.8
公开号: CN108760864A
代理机构: 四川省成都市天策商标专利事务所 51213
代理人: 刘渝
分类号: G01N27/409(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/409
申请人地址: 611730 四川省成都市郫都区德源镇(菁蓉镇)大禹东路66号
主权项: 1.一种无需额外绝缘和弯曲补偿的片式氧传感器,其特征在于,包括从上到下依次叠加烧结而成的多孔及保护层、功能层、空气腔层、结构层和加热层;所述多孔及保护层的一端为多孔氧化铝基片,多孔及保护层的另一端为第一氧化铝基片,所述功能层包括氧化锆基片和设于氧化锆基片两侧的内电极和外电极,其中外电极位于氧化锆基片上靠近多孔及保护层一侧,且所述多孔氧化铝基片完全覆盖外电极,第一氧化铝基片覆盖外电极引线,所述空气腔层包括第二氧化铝基片和设于其上方的空气腔,所述结构层包括从上到下依次叠加的第三氧化铝基片、第四氧化铝基片和第五氧化铝基片,所述加热层包括第六氧化铝基片和设于其上方的加热器。
所属类别: 发明专利
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