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一种确定磁性材料中埋藏缺陷深度的方法及系统
| 专利名称： | 一种确定磁性材料中埋藏缺陷深度的方法及系统 |
| 摘要： | 本发明涉及一种确定磁性材料中埋藏缺陷深度的方法及系统，其方法包括以下步骤，S1，基于磁屏蔽作用和磁导率变化理论，利用等效磁荷法在磁性材料外部建立埋藏缺陷漏磁场强度模型；S2，测量待测磁性材料试样外部的磁场参数，并将所述磁场参数代入到所述埋藏缺陷漏磁场强度模型中进行计算，得到待测磁性材料试样的埋藏缺陷的深度。本发明的方法利用等效磁荷法建立埋藏缺陷漏磁场模型可以比较准确的计算出磁性材料内部埋藏缺陷的深度。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 山东;37 |
| 申请人： | 烟台大学 |
| 发明人： | 徐坤山;石娟;冯明光;任万忠 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810817167.5 |
| 公开号： | CN108802172A |
| 代理机构： | 烟台上禾知识产权代理事务所(普通合伙) 37234 |
| 代理人： | 刘志毅 |
| 分类号： | G01N27/85(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/85 |
| 申请人地址： | 264000 山东省烟台市莱山区清泉路30号 |
| 主权项： | 1.一种确定磁性材料中埋藏缺陷深度的方法，其特征在于：包括以下步骤，S1，基于磁屏蔽作用和磁导率变化理论，利用等效磁荷法在磁性材料外部建立埋藏缺陷漏磁场强度模型；S2，测量待测磁性材料试样外部的磁场参数，并将所述磁场参数代入到所述埋藏缺陷漏磁场强度模型中进行计算，得到待测磁性材料试样的埋藏缺陷的深度。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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