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基于双猝灭效应的双波长比率电致化学发光法检测As(III)
| 专利名称： | 基于双猝灭效应的双波长比率电致化学发光法检测As(III) |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于双猝灭效应的双波长比率电致化学发光法检测As(III)，通过Au‑S键作用将As(III)适配体(Ars‑3)捕获到Au‑g‑C3N4修饰电极表面，再通过静电作用使PDDA与Ars‑3结合生成PDDA/Ars‑3/Au‑g‑C3N4电极，该电极在含Ru(bpy)32+的Na2S2O8溶液中发射Au‑g‑C3N4的ECL信号；当存在As(III)时，As(III)与Ars‑3特异性结合使得Ars‑3的构象发生变化，导致PDDA/Ars‑3/Au‑g‑C3N4电极表面释放出部分PDDA，形成PDDA/As(III)/Ars‑3/Au‑g‑C3N4电极，将该电极构成的三电极系统置于含Ru(bpy)32+的Na2S2O8溶液中，根据Ru(bpy)32+与Au‑g‑C3N4的ECL信号比值与As(III)浓度的关系实现对As(III)的超灵敏和选择性检测。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 江西;36 |
| 申请人： | 南昌大学 |
| 发明人： | 邱建丁;于禄丹;梁汝萍 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810629682.0 |
| 公开号： | CN108802134A |
| 代理机构： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 |
| 代理人： | 赵艾亮 |
| 分类号： | G01N27/30(2006.01)I;G01N21/76(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N21;G01N27/30;G01N21/76 |
| 申请人地址： | 330031 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号 |
| 主权项： | 1.基于双猝灭效应的双波长比率电致化学发光法检测As(III)，其特征在于，包括以下步骤：(1)将Au‑g‑C3N4修饰的玻碳电极浸入浓度为100μM的Ars‑3溶液中，孵育过夜，制成Ars‑3/Au‑g‑C3N4修饰的玻碳电极；(2)将步骤(1)中的Ars‑3/Au‑g‑C3N4修饰的玻碳电极在50μL体积比为20％的PDDA溶液中浸泡1小时取出，用超纯水清洗电极后，向电极表面滴加不同浓度的As(III)，室温下孵育30分钟，用磷酸盐缓冲溶液淋洗电极，去除非特异性吸附在电极表面的As(III)，制成PDDA/As(III)/Ars‑3/Au‑g‑C3N4修饰的玻碳电极；(3)将步骤(2)中的PDDA/As(III)/Ars‑3/Au‑g‑C3N4修饰的玻碳电极作为工作电极来构成三电极系统，将三电极系统置于含有0.1M Na2S2O8和0.15mM Ru(bpy)32+的磷酸盐缓冲溶液中，检测其ECL信号，根据Ru(bpy)32+与Au‑g‑C3N4之间的ECL的信号比值与As(III)浓度的线性关系来实现对As(III)的检测。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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