专利名称: |
一种用于氮化镓晶体的定向切割装置与加工方法 |
摘要: |
本发明提供一种用于氮化镓晶体的定向切割装置与加工方法,该定向切割装置包括:夹持晶锭的夹具;控制首片厚度的影像监测系统,以及对所述晶锭进行切割的多线切割机,夹持晶锭的所述夹具包括支架和支撑所述支架的基座,所述影像监测系统将所述多线切割机的线间距与待切的所述晶锭的首片厚度的图谱比对以调整切割位置。本发明可有效控制氮化镓晶锭首片的切割厚度。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
上海;31 |
申请人: |
中国科学院上海硅酸盐研究所 |
发明人: |
陈辉;庄击勇;黄维;卓世异;王乐星;施尔畏 |
专利状态: |
有效 |
发布日期: |
2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201810005342.0 |
公开号: |
CN108214955A |
代理机构: |
上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 |
代理人: |
曹芳玲;姚佳雯 |
分类号: |
B28D5/04(2006.01)I;B28D5/00(2006.01)I;B;B28;B28D;B28D5;B28D5/04;B28D5/00 |
申请人地址: |
200050 上海市长宁区定西路1295号 |
主权项: |
1.一种用于氮化镓晶体的定向切割装置,其特征在于,包括:夹持晶锭的夹具;控制首片厚度的影像监测系统,以及对所述晶锭进行切割的多线切割机,夹持晶锭的所述夹具包括支架和支撑所述支架的基座,所述影像监测系统将所述多线切割机的线间距与待切的所述晶锭的首片厚度的图谱比对以调整切割位置。 |
所属类别: |
发明专利 |