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原文传递 聚苯胺纳米线修饰的QCM气体传感器及其制备方法与应用
专利名称: 聚苯胺纳米线修饰的QCM气体传感器及其制备方法与应用
摘要: 本发明公开了一种聚苯胺纳米线修饰的QCM气体传感器及其制备方法与应用,该气体传感器在石英晶体微天平的电极表面修饰有直径为80~120 nm、长度为500~1000 nm的纳米线状结构聚苯胺薄膜。气体敏感膜为通过电化学聚合法生成。该气体传感器在室温下具有良好的灵敏度、回复性和重复性,选择性良好,且制备方法简单、易操作,可广泛应用于室温下气体的痕量级检测。
专利类型: 发明专利
国家地区组织代码: 浙江;33
申请人: 浙江大学
发明人: 王俊;邓凡霏
专利状态: 有效
发布日期: 2019-01-01T00:00:00+0800
申请号: CN201810092797.0
公开号: CN108225966A
代理机构: 杭州求是专利事务所有限公司 33200
代理人: 林松海
分类号: G01N5/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y15/00(2011.01)I;G;B;G01;B82;G01N;B82Y;G01N5;B82Y30;B82Y40;B82Y15;G01N5/00;B82Y30/00;B82Y40/00;B82Y15/00
申请人地址: 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
主权项: 1. 一种聚苯胺纳米线修饰的QCM气体传感器,其特征是:在石英晶体微天平的电极表面修饰有直径为80 ~120 nm、长度为500 ~1000 nm的纳米线状结构聚苯胺薄膜。
所属类别: 发明专利
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