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网状氧化钨纳米线修饰的硅纳米线异质多级结构及其制备方法和应用
| 专利名称： | 网状氧化钨纳米线修饰的硅纳米线异质多级结构及其制备方法和应用 |
| 摘要： | 本发明提供网状氧化钨纳米线修饰的硅纳米线异质多级结构及其制备方法和应用，按照下述步骤进行：金属辅助化学刻蚀法刻蚀硅纳米线阵列、硅纳米线阵列的稀疏、粗糙化处理、氧化钨种子层的制备和网状氧化钨纳米线的水热生长。基于一维纳米线的层状复合材料由于具有独特的高活性表面结构，非常适合于气体传感器，网状氧化钨纳米线修饰的硅纳米线异质多级结构因其特殊的异质结结构，增强了电导率以及载流子输运能力，所以在常温下对NO2有较强的敏感响应。该结构可在常温下检测NO2气体，在气体传感器与集成电路工艺兼容，延长传感器寿命，节约能耗，以及危险气体检测方面具有很重要的研究价值。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 天津;12 |
| 申请人： | 天津大学 |
| 发明人： | 秦玉香;王泽峰;赵黎明;王立萍 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201710640185.6 |
| 公开号： | CN109324088A |
| 代理机构： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 |
| 代理人： | 王秀奎 |
| 分类号： | G01N27/12(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 300072 天津市南开区卫津路92号 |
| 主权项： | 1.网状氧化钨纳米线修饰的硅纳米线异质多级结构，其特征在于，在由硅纳米线组成的阵列中，氧化钨纳米线呈现网状结构，并包覆在硅纳米线上，硅纳米线长20‑32μm，直径1‑2μm，氧化钨纳米线长400‑1200nm，直径18—30nm。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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