原文传递
硅纳米线—氧化钨纳米线刷状多级结构及其制备方法和在探测二氧化氮中的应用
| 专利名称： | 硅纳米线—氧化钨纳米线刷状多级结构及其制备方法和在探测二氧化氮中的应用 |
| 摘要： | 本发明公开硅纳米线—氧化钨纳米线刷状多级结构及其制备方法和在探测二氧化氮中的应用，使用金属辅助化学刻蚀法刻蚀单晶硅以形成硅纳米线阵列，再进行稀疏粗糙化处理后进行沉积钨薄膜材料层，升温以生长一维氧化钨纳米线，最后进行铂电极制备。本发明的硅纳米线/氧化钨纳米线复合异质多级结构气敏敏感元件在室温下工作，且对二氧化氮具有很好的响应，在气体传感器与集成电路工艺兼容，延长传感器寿命，节约能耗，以及危险气体检测方面具有很重要的研究价值。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 天津;12 |
| 申请人： | 天津大学 |
| 发明人： | 秦玉香;王泽峰;刘雕;王克行 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201710608019.8 |
| 公开号： | CN109298026A |
| 代理机构： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 |
| 代理人： | 王秀奎 |
| 分类号： | G01N27/12(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 300072 天津市南开区卫津路92号 |
| 主权项： | 1.硅纳米线—氧化钨纳米线刷状多级结构，其特征在于，以硅纳米线垂直于硅片基底形成硅纳米线阵列，在组成硅纳米线阵列的每根硅纳米线的整个外表面上原位生长氧化钨纳米线，以形成刷状多级结构。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
检索历史
应用推荐
