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原文传递硅纳米线探测单元

专利名称：	硅纳米线探测单元
摘要：	本发明提供了一种硅纳米线探测单元，包括源极、漏极以及耦接在所述源极与所述漏极之间的硅纳米线，其中，在所述硅纳米线上设置有光刻胶加固结构，和/或分别在所述漏极与所述硅纳米线的连接处、所述源极与所述硅纳米线的连接处设置第一应力释放区和第二应力释放区。本发明的技术方案可以降低SiNW探测单元对于光刻、刻蚀工艺的要求，提高了SiNW探测单元的良率。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	上海;31
申请人：	上海华力微电子有限公司
发明人：	曹永峰
专利状态：	有效
申请日期：	2011-11-30T00:00:00+0800
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201110388980.3
公开号：	CN102522426A
代理机构：	隆天国际知识产权代理有限公司 72003
代理人：	张浴月;张志杰
分类号：	H01L29/78(2006.01)I
申请人地址：	201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号
主权项：	一种硅纳米线探测单元，包括源极、漏极以及耦接在所述源极与所述漏极之间的硅纳米线，其特征在于，在所述硅纳米线上设置有光刻胶加固结构，和/或分别在所述漏极与所述硅纳米线的连接处、所述源极与所述硅纳米线的连接处设置第一应力释放区和第二应力释放区。
所属类别：	发明专利