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氧化钨颗粒修饰的疏松大孔硅基多级结构及其制备方法
| 专利名称： | 氧化钨颗粒修饰的疏松大孔硅基多级结构及其制备方法 |
| 摘要： | 本发明提供氧化钨颗粒修饰的疏松大孔硅基多级结构及其制备方法，首先通过金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线阵列，其次通过磁控溅射的方法使钨颗粒附着在硅纳米线顶部，最后在管式炉中灼烧，使得钨颗粒氧化成氧化钨颗粒的同时，硅纳米线阵列变的疏松、且嵌套有大孔结构。采用本发明方法制备的氧化钨颗粒修饰的疏松大孔硅基多级结构具有高的表面活性以及大的比表面积，在气体传感方面具有很重要的研究价值。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 天津;12 |
| 申请人： | 天津大学 |
| 发明人： | 秦玉香;王泽峰;崔震;赵黎明 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201710641695.5 |
| 公开号： | CN109324089A |
| 代理机构： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 |
| 代理人： | 王秀奎 |
| 分类号： | G01N27/12(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 300072 天津市南开区卫津路92号 |
| 主权项： | 1.氧化钨颗粒修饰的疏松大孔硅基多级结构，其特征在于，由氧化钨颗粒和疏松大孔硅基材料组成，硅基材料由垂直于硅片的硅纳米线阵列组成，氧化钨颗粒修饰在硅纳米线表面以在硅‑氧化钨界面形成异质结的嵌套结构，硅纳米线彼此疏松形成大孔结构，硅纳米线长为20‑40μm，直径为150‑300nm。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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