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原文传递一种二硫化钼柔性离子传感器

专利名称：	一种二硫化钼柔性离子传感器
摘要：	一种二硫化钼柔性离子传感器，包括从上到下连接在一起的氮化硼、二硫化钼、氮化硼，金属电极，柔性基底；所述二硫化钼位于氮化硼下方，位于氮化硼上方；所述二硫化钼和氮化硼、氮化硼组成复合梁结构，梁两端分别与金属电极接触，中间部分悬空；柔性基底位于所述复合梁结构悬空部分下方。氮化硼作为保护层，有效隔绝二硫化钼上下表面与空气，以及空气中的水蒸气接触，防止二硫化钼在空气中退化，悬空结构可以防止二硫化钼与柔性基底直接接触，从而可以避免基底对二硫化钼的散射影响；这种结构可使二硫化钼离子传感器获得更好的检测下限、提高长期稳定性，并且降低基底形变对器件的影响。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	北京;11
申请人：	清华大学
发明人：	李鹏
专利状态：	有效
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201810312620.7
公开号：	CN108279260A
代理机构：	西安智大知识产权代理事务所 61215
代理人：	段俊涛
分类号：	G01N27/12(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/12
申请人地址：	100084 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室
主权项：	1.一种二硫化钼柔性离子传感器，其特征在于，包括从上到下连接在一起的氮化硼层(2‑1)、二硫化钼层(2‑2)、氮化硼层(2‑3)，金属电极(2‑4)和柔性基底(2‑5)；所述二硫化钼层(2‑2)位于氮化硼层(2‑1)下方，位于氮化硼层(2‑3)上方，且二硫化钼层(2‑2)和氮化硼层(2‑1)、氮化硼层(2‑3)组成复合梁结构，复合梁两端分别与金属电极(2‑4)连接，复合梁中间部分悬空；所述柔性基底(2‑5)位于所述复合梁结构悬空部分下方。
所属类别：	发明专利