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一种基于二硒化钨的柔性离子传感器
| 专利名称： | 一种基于二硒化钨的柔性离子传感器 |
| 摘要： | 一种基于二硒化钨的柔性离子传感器，属于MEMS技术领域。其特征在于，所述传感器阵列采用二硒化钨作为敏感材料；传感器结构从上到下依次为离子载体、氮化硼层、二硒化钨层、柔性基底。二硒化钨层两端与金属电极相连；离子载体的厚度为20‑200微米；氮化硼层为单层或多层；金属电极材料选用Au、Ag、Cu、Al、Pt中的任意一种，厚度为20‑200纳米；二硒化钨层为单层或多层；二硒化钨层的上表面被离子载体和氮化硼层完全覆盖。本发明采用二硒化钨作为敏感材料、氮化硼作为保护层、离子载体作为选择层，可提升柔性离子传感器的灵敏度、稳定性、选择性，并使传感器具有优良的抗弯折能力，且易于加工。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 清华大学 |
| 发明人： | 李鹏 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810550806.6 |
| 公开号： | CN108845017A |
| 代理机构： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 |
| 代理人： | 段俊涛 |
| 分类号： | G01N27/414(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/414 |
| 申请人地址： | 100084 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室 |
| 主权项： | 1.一种基于二硒化钨的柔性离子传感器，其特征在于，所述传感器从上到下依次为离子载体(1‑1)、氮化硼层(1‑2)、金属电极(1‑3)、二硒化钨层(1‑4)和柔性基底(1‑5)，所述二硒化钨层(1‑4)两端与金属电极(1‑3)相连接。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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