专利名称: |
基于硒化钨薄膜沟道结构的光纤法珀超敏气体传感器 |
摘要: |
本发明属于传感领域,具体涉及基于硒化钨薄膜沟道结构的光纤法珀超敏气体传感器。本发明采用成熟稳定的传感原理,结合光学、超材料学科和微纳加工的先进工艺,在单模光纤端面集成硒化钨‑金电导结构,依靠硒化钨的物理吸附与电可调特性,通过调制硒化钨所加电压实现气体分子的吸附与释放。兼顾了传感器的响应速度和灵敏度,同时该器件尺寸微小,热稳定性良好,传感功耗较小:该传感器的响应时间仅为电化学气体传感器的千分之一,灵敏度可达传统光学气体传感器的1000倍以上,传感功耗低至100纳瓦。该传感器可直接集成于全光系统,实现全光网络的高速信息传感。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
四川;51 |
申请人: |
电子科技大学 |
发明人: |
曹忠旭;袁中野;姚佰承;吴宇;饶云江 |
专利状态: |
有效 |
申请号: |
CN201811131211.3 |
公开号: |
CN109164050A |
代理机构: |
电子科技大学专利中心 51203 |
代理人: |
闫树平 |
分类号: |
G01N21/31(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21 |
申请人地址: |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |
主权项: |
1.基于硒化钨薄膜沟道结构的光纤法珀超敏气体传感器,包括镀膜单模光纤、硒化钨‑单模光纤和石英毛细管,其特征在于:所述镀膜单模光纤有两根,为单模光纤一端镀介质薄膜,在1550纳米波段大于95%反射率的单模光纤;所述硒化钨‑单模光纤,为一端镀有金膜的单模光纤,以≥10微米的沟道宽度贯通去除单模光纤纤芯部分的金膜,使得金膜分为两段,然后插入到硒化钨薄膜上,最终使硒化钨薄膜贴附到单模光纤端面后,与两段金膜形成硒化钨‑金电导结构;以硒化钨‑单模光纤居中,镀膜单模光纤位于两端,镀膜端面向中的方式,插入石英毛细管中,石英毛细管既作为法珀腔准直、封装结构,又作为气体微流通道;其中硒化钨‑单模光纤的镀膜端与对应的介质薄膜‑单模光纤镀膜端不接触,构成一个1~3毫米的空气隙,该空气隙部分的石英毛细管设有空气孔,空气隙结构作为气体分子的微流通道,两镀膜单模光纤构成法珀微腔;硒化钨‑单模光纤和两根介质薄膜‑单模光纤间的光路准直。 |
所属类别: |
发明专利 |