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原文传递基于二硒化钨的柔性离子传感器

专利名称：	基于二硒化钨的柔性离子传感器
摘要：	基于二硒化钨的柔性离子传感器，属于MEMS技术领域。其特征在于，所述传感器阵列采用二硒化钨作为敏感材料；传感器结构从上到下依次为离子载体、氮化硼层、二硒化钨层、柔性基底。二硒化钨层两端与金属电极相连；离子载体的厚度为20‑200微米；氮化硼层为单层或多层；金属电极材料选用Au、Ag、Cu、Al、Pt中的任意一种，厚度为20‑200纳米；二硒化钨层为单层或多层；二硒化钨层的上表面被离子载体和氮化硼层完全覆盖。本实用新型采用二硒化钨作为敏感材料、氮化硼作为保护层、离子载体作为选择层，可提升柔性离子传感器的灵敏度、稳定性、选择性，并使传感器具有优良的抗弯折能力，且易于加工。
专利类型：	实用新型
国家地区组织代码：	北京;11
申请人：	清华大学
发明人：	李鹏
专利状态：	有效
申请号：	CN201820835809.X
公开号：	CN208366907U
代理机构：	西安智大知识产权代理事务所 61215
代理人：	段俊涛
分类号：	G01N27/414(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	100084 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室
主权项：	1.基于二硒化钨的柔性离子传感器，其特征在于，所述传感器从上到下依次为离子载体(1‑1)、氮化硼层(1‑2)、金属电极(1‑3)、二硒化钨层(1‑4)和柔性基底(1‑5)，所述二硒化钨层(1‑4)两端与金属电极(1‑3)相连接。
所属类别：	实用新型