专利名称: |
一种气敏半导体器件的制备方法 |
摘要: |
本发明公开了一种气敏半导体器件的制备方法,其具体制备步骤为:(1)将器件用陶瓷管置入纯水中进行超声,后置入丙酮溶液中超声,再置入异丙醇溶液中超声,然后置入真空烘箱中烘干;(2)将调制好的气敏半导体浆料均匀的涂抹在陶瓷管上,并附着导线作电极引脚,自然放置后置入烘箱内烘干,再置入烧结窑中烧结;(3)将烧结好的元件自然冷却至室温后,将电阻丝穿插在陶瓷管中,并焊接在电极引脚上,焊接完毕后再将器件接入电路中,工作一段时间;本发明的有益效果是:制备过程较简单,参数控制容易,但是制备出的气敏半导体器件稳定性好、灵敏度高,符合实际应用的需求。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
山东;37 |
申请人: |
青岛祥智电子技术有限公司 |
发明人: |
不公告发明人 |
专利状态: |
有效 |
发布日期: |
2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201611212400.4 |
公开号: |
CN108241004A |
分类号: |
G01N27/00(2006.01)I;G01N33/00(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N33;G01N27/00;G01N33/00 |
申请人地址: |
266100 山东省青岛市城阳区棘洪滩街道院后庄社区南600米 |
主权项: |
1.一种气敏半导体器件的制备方法,其特征在于其具体制备步骤为:(1)将器件用陶瓷管置入纯水中进行超声,超声时间设定为10‑12分钟,后置入丙酮溶液中超声10‑12分钟,再置入异丙醇溶液中超声12‑15分钟,然后置入真空烘箱中烘干20‑30分钟,烘干温度设定为100‑120℃;(2)将调制好的气敏半导体浆料均匀的涂抹在陶瓷管上,并附着4‑6根导线作电极引脚,自然放置20‑30分钟后,置入烘箱内烘干15‑20分钟,烘干温度为200‑220℃,再置入烧结窑中烧结2‑3小时,烧结温度设定为800‑1000℃;(3)将烧结好的元件自然冷却至室温后,将电阻丝穿插在陶瓷管中,并焊接在电极引脚上,焊接完毕后再将器件接入电路中,在4‑6伏的电压下工作72‑120小时。 |
所属类别: |
发明专利 |