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一种L-胱氨酸的检测方法及传感器
| 专利名称： | 一种L-胱氨酸的检测方法及传感器 |
| 摘要： | 本发明公开了一种L‑胱氨酸的检测方法及传感器，将聚二硫二丙烷磺酸膜组装在金电极的金膜层表面，作为场效应晶体管延伸出来的栅极，利用场效应晶体管原位信号放大作用实现对L‑胱氨酸的灵敏检测，其中，聚二硫二丙烷磺酸膜的聚阴离子通过静电作用吸附结合带正电荷的目标物L‑胱氨酸，形成双电层结构而产生识别一价有机铵离子的膜电位。该传感器对L‑胱氨酸具有良好的能斯特响应关系，线性范围为5.0×10‑6—1.0×10‑3mol/L，响应灵敏度为58.25±1.5mV/‑pc(25℃)，检出限为2.69×10‑6mol/L，可用于猪血清样品中L‑胱氨酸的快速灵敏检测，在健康养殖和生命科学等领域具有潜在的应用前景。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 湖南;43 |
| 申请人： | 长沙理工大学 |
| 发明人： | 曹忠;杨佳;刘陈;肖忠良;李丹;张玲;张煜杨;李佳欣 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201810984084.5 |
| 公开号： | CN109115856A |
| 代理机构： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 |
| 代理人： | 刘佳芳 |
| 分类号： | G01N27/333(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 410114 湖南省长沙市天心区万家丽南路二段960号 |
| 主权项： | 1.一种L‑胱氨酸的检测方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：(1)在场效应晶体管的Si基底层(1)上植入p阱(2)和N型衬底(3)，采用热蒸发和磁控溅射技术在p阱(2)处构建源电极(4)和漏电极(5)，然后在被植入p阱(2)和N型衬底(3)并构建有源电极(4)和漏电极(5)的Si基底层(1)上构建二氧化硅层(6)，再采用热蒸发和磁控溅射技术在多晶硅栅极(7)的基底层上依次镀上铝铜合金层(8)、铬钯合金层(9)和金膜层(10)，最后在多晶硅栅极(7)的基底层和二氧化硅层(6)上构建氮化硅层(11)；将栅极部分延长0.1—500mm的距离，制得具有栅极金电极的延长栅场效应晶体管；(2)制备聚二硫二丙烷磺酸钠的乙醇溶液，并将清洗后的延长栅场效应晶体管的栅极金电极浸泡于其中，于25℃条件下静置，然后洗净浸泡后的栅极金电极，制得聚二硫二丙烷磺酸膜(12)修饰的聚二硫二丙烷磺酸膜栅极金电极；(3)将参比电极、聚二硫二丙烷磺酸膜栅极金电极与延长栅场效应晶体管的电极接口相连形成双高阻差分放大电路，将参比电极、聚二硫二丙烷磺酸膜栅极金电极插入PBS缓冲溶液中，将延长栅场效应晶体管的电源接口分别与稳压电源的正负极相连，将延长栅场效应晶体管的信号输出接口与万用电表的测试端口相连，由此构成一个完整的传感检测回路；利用场效应晶体管的原位信号放大作用，可灵敏检测体系的电位变化；作为工作电极的聚二硫二丙烷磺酸膜栅极金电极在PBS缓冲溶液的电位会随着时间的增加而逐渐趋向于稳定，待电位稳定后加入含有不同浓度L‑胱氨酸(13)的待测样品，进而获得相应的电位响应数据，完成待测样品中L‑胱氨酸(13)的检测。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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