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原文传递一种检测L-胱氨酸的传感器

专利名称：	一种检测L-胱氨酸的传感器
摘要：	本实用新型公开了一种检测L‑胱氨酸的传感器，所述传感器包括场效应晶体管，所述场效应晶体管上设有栅极延长的金电极，所述栅极延长的金电极中，栅极部分延长0.1—500mm的距离，金电极表面组装有聚二硫二丙烷磺酸膜。本实用新型将聚二硫二丙烷磺酸膜组装在金电极的金膜层表面，作为场效应晶体管延伸出来的栅极，利用场效应晶体管原位信号放大作用实现对L‑胱氨酸的灵敏检测，其中，聚二硫二丙烷磺酸膜的聚阴离子通过静电作用吸附结合带正电荷的目标物L‑胱氨酸，形成双电层结构而产生识别一价有机铵离子的膜电位。该传感器对L‑胱氨酸具有良好的能斯特响应关系，线性范围为5.0×10‑6—1.0×10‑3mol/L，响应灵敏度为58.25±1.5mV/‑pc(25℃)，检出限为2.69×10‑6mol/L。
专利类型：	实用新型
国家地区组织代码：	湖南;43
申请人：	长沙理工大学
发明人：	曹忠;杨佳;刘陈;肖忠良;李丹;张玲;张煜杨;李佳欣
专利状态：	有效
申请日期：	2018-08-28T00:00:00+0800
发布日期：	2019-05-14T00:00:00+0800
申请号：	CN201821387669.0
公开号：	CN208860792U
代理机构：	北京天奇智新知识产权代理有限公司
代理人：	刘佳芳
分类号：	G01N27/30(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	410114 湖南省长沙市天心区万家丽南路二段960号
主权项：	1.一种检测L-胱氨酸的传感器，所述传感器包括场效应晶体管，所述场效应晶体管上设有栅极延长的金电极，其特征在于，所述栅极延长的金电极中，栅极部分延长0.1—500mm的距离，金电极的金膜层(10)表面组装有聚二硫二丙烷磺酸膜(12)。 2.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述场效应晶体管包括Si基底层(1)和设于Si基底层(1)上的多晶硅栅极(7)；所述Si基底层(1)上植入p阱(2)和N型衬底(3)，所述p阱(2)处设有源电极(4)和漏电极(5)，被植入p阱(2)和N型衬底(3)并构建有源电极(4)和漏电极(5)的Si基底层(1)上设有二氧化硅层(6)；所述多晶硅栅极(7)的基底层上依次镀上铝铜合金层(8)、铬钯合金层(9)和金膜层(10)；在多晶硅栅极(7)的基底层和二氧化硅层(6)上还设有氮化硅层(11)。 3.如权利要求2所述的传感器，其特征在于，所述铝铜合金层(8)的厚度为20—600nm，铬钯合金层(9)的厚度为20—600nm，金膜层(10)的厚度为20—1000nm。
所属类别：	实用新型