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一种取向硅钢中抑制剂的分析方法
| 专利名称： | 一种取向硅钢中抑制剂的分析方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种取向硅钢中抑制剂的分析方法，制截面金相样，采用非水基溶液电解侵蚀截面并限制一定的电解参数，采用场发射扫描电镜观察、统计取向硅钢截面任意厚度位置抑制剂，实现了对不同厚度规格取向硅钢截面抑制剂的尺寸、数量精准观察及统计，能够得到抑制剂粒子的形貌、成分和数量等信息，截面作为样品的待观测面，能够快速、直观的分析抑制剂在样品中不同深度部位的分布规律，相对于传统的制样和观测方法，本方法具有制样简单、工作高效、统计性准确的优势。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 河北;13 |
| 申请人： | 首钢智新迁安电磁材料有限公司;北京首钢股份有限公司 |
| 发明人： | 王现辉;刘兆月;李瑞凤;陈继冬;王超;刘云霞;柳振方 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811300377.3 |
| 公开号： | CN109142415A |
| 代理机构： | 北京华沛德权律师事务所 11302 |
| 代理人： | 马苗苗 |
| 分类号： | G01N23/2251(2018.01)I;G;G01;G01N;G01N23 |
| 申请人地址： | 064400 河北省唐山市迁安市西部工业区兆安街025号 |
| 主权项： | 1.一种取向硅钢中抑制剂的分析方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将取向硅钢切割成块状的试样；(2)将切割好的所述试样进行研磨，去除所述试样表面玻璃膜或其他表面覆盖层，以截面作为所述试样的待观测面，对所述待观测面进行金相抛磨；所述研磨和/或所述金相抛磨的过程中，采用柠檬酸水溶液对所述试样进行去锈处理；(3)在室温条件下将所述试样的待观测面放入非水基电解液中进行电解侵蚀，所述电解侵蚀的电流密度为15～20mA/cm2，电解时间为1～4min；(4)用所述非水基电解液的溶剂冲洗所述试样，随后吹干；(5)将所述试样以所述待观测面朝上的姿态放入场发射扫描电镜的载物台上进行观测，调整所述试样处于视窗水平状态，在所述试样设定深度处定位，放大30000～50000倍，保持垂直方向不动，沿水平方向移动视场，观测所述抑制剂粒子，并随机拍取照片；(6)采用图像识别软件对所述照片中的所述抑制剂粒子进行识别统计，获取所述抑制剂粒子的尺寸、密度特征，得出所述抑制剂粒子的分布规律。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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