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CVD石墨烯的无污染转移工艺获得氧化石墨烯与石墨烯复合结构的气敏薄膜传感器及方法
| 专利名称： | CVD石墨烯的无污染转移工艺获得氧化石墨烯与石墨烯复合结构的气敏薄膜传感器及方法 |
| 摘要： | 本发明公开CVD石墨烯的无污染转移工艺获得氧化石墨烯与石墨烯复合结构的气敏薄膜传感器及方法，其过程为：先在具有金属衬底的CVD石墨烯的石墨烯表面旋涂氧化石墨烯分散液，得到结构A；再将结构A在40‑80℃烘1‑30分钟；再去除结构A的金属衬底，得到氧化石墨烯与石墨烯复合结构的复合薄膜；再对得到的复合薄膜进行漂洗；最后将漂洗后的复合薄膜转移到电极结构上，再进行晾干和烘，得到氧化石墨烯与石墨烯复合结构的气敏薄膜传感器。本发明能够克服石墨烯转移过程中引入的有机残留污染和产生裂纹和褶皱的问题，同时制备的氧化石墨烯与石墨烯复合结构的气敏薄膜很好的弥补了石墨烯的不足，使其气敏特性得到了极大地提高。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 陕西;61 |
| 申请人： | 西安交通大学;广东顺德西安交通大学研究院 |
| 发明人： | 李昕;王常;刘卫华;赵丹;王旭明;贾唐浩 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201810805357.5 |
| 公开号： | CN109142466A |
| 代理机构： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 |
| 代理人： | 徐文权 |
| 分类号： | G01N27/12(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号 |
| 主权项： | 1.CVD石墨烯的无污染转移工艺获得氧化石墨烯与石墨烯复合结构的气敏薄膜传感器的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1)，在具有金属衬底的CVD石墨烯的石墨烯表面旋涂氧化石墨烯分散液，得到结构A；步骤2)，再烘结构A，去除旋涂的氧化石墨烯与石墨烯中的水分，使氧化石墨烯与石墨烯形成复合结构，并对氧化石墨烯与石墨烯的复合结构进行退火；步骤3)，再去除步骤2)所得结构的金属衬底，得到氧化石墨烯与石墨烯复合结构的复合薄膜；步骤4)，对步骤3)得到的复合薄膜进行漂洗；步骤5)，将步骤4)漂洗后的复合薄膜转移到电极结构上，再进行晾干和烘，得到氧化石墨烯与石墨烯复合结构的气敏薄膜传感器。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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