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原文传递石墨烯-银纳米复合结构、制备方法及应用

专利名称：	石墨烯-银纳米复合结构、制备方法及应用
摘要：	本发明公开了一种石墨烯‑银纳米复合结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将氧化石墨烯和AgNO3溶于去离子水中，得到一溶液；将化学还原剂加入到所述溶液中，反应后得到一中间产物；洗涤并冷冻干燥所述中间产物；热还原冷冻干燥后的所述中间产物，得到所述石墨烯‑银纳米复合结构。本发明还提供了一种石墨烯‑银纳米复合结构，包括银纳米颗粒以及石墨烯片层，所述银纳米颗粒分布在所述石墨烯片层之间，所述银纳米颗粒的尺寸小于55nm。本发明还提供了一种所述石墨烯‑银/聚赖氨酸复合材料修饰电极在电化学传感器中的应用。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	广东;44
申请人：	深圳清华大学研究院
发明人：	檀满林;高星辰
专利状态：	有效
申请日期：	2019-02-25T00:00:00+0800
发布日期：	2019-06-28T00:00:00+0800
申请号：	CN201910139064.2
公开号：	CN109946357A
代理机构：	深圳市鼎言知识产权代理有限公司
代理人：	曾昭毅;郑海威
分类号：	G01N27/30(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园南区深圳清华大学研究院大楼A302室
主权项：	1.一种石墨烯-银纳米复合结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将氧化石墨烯和AgNO3溶于去离子水中，得到一溶液；将化学还原剂加入到所述溶液中，反应后得到一中间产物；洗涤并冷冻干燥所述中间产物；热还原冷冻干燥后的所述中间产物，得到所述石墨烯-银纳米复合结构。 2.如权利要求1所述的石墨烯-银纳米复合结构的制备方法，其特征在于，所述氧化石墨烯与所述AgNO3的质量比为1:4～2:1。 3.如权利要求1所述的石墨烯-银纳米复合结构的制备方法，其特征在于，所述化学还原剂为N,N-二甲基甲酰胺、硼氢化钠、抗坏血酸以及水合肼中的至少一种。 4.如权利要求1所述的石墨烯-银纳米复合结构的制备方法，其特征在于，所述热还原的温度为300～800℃，所述热还原的时间为2h。 5.如权利要求1所述的石墨烯-银纳米复合结构的制备方法，其特征在于，所述热还原在氩气气氛下进行。 6.一种石墨烯-银纳米复合结构，其特征在于，包括银纳米颗粒以及石墨烯片层，所述银纳米颗粒分布在所述石墨烯片层之间，所述银纳米颗粒的尺寸小于55nm。 7.一种利用如权利要求6所述的石墨烯-银纳米复合结构对石墨烯-银/聚赖氨酸复合材料修饰电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一电极，对所述电极进行抛光处理；超声清洗并干燥抛光后的所述电极；将所述石墨烯-银纳米复合结构溶于水中得到石墨烯-银纳米复合结构悬浮液，然后将所述悬浮液加到所述电极表面并干燥；将干燥后的所述电极浸入到赖氨酸的磷酸缓冲液中进行电化学缩聚反应，以在所述电极表面形成聚赖氨酸；以及将带有所述聚赖氨酸的电极于空气中干燥，从而得到所述石墨烯-银/聚赖氨酸复合材料修饰电极。 8.如权利要求7所述的石墨烯-银纳米复合结构对石墨烯-银/聚赖氨酸复合材料修饰电极的制备方法，其特征在于，所述电极为玻碳电极。 9.如权利要求7所述的石墨烯-银纳米复合结构对石墨烯-银/聚赖氨酸复合材料修饰电极的制备方法，其特征在于，所述赖氨酸在所述磷酸缓冲液中的浓度为10mM，所述磷酸缓冲液的pH值为9。 10.一种如权利要求7所述的石墨烯-银纳米复合结构对石墨烯-银/聚赖氨酸复合材料修饰电极的制备方法所制备的石墨烯-银/聚赖氨酸复合材料修饰电极在电化学传感器中的应用。
所属类别：	发明专利