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集成CMOS-MEMS的高灵敏谐振式传感器
| 专利名称： | 集成CMOS-MEMS的高灵敏谐振式传感器 |
| 摘要： | 本公开提供了一种集成CMOS‑MEMS的高灵敏谐振式传感器，包括：微流道谐振腔、MEMS悬臂梁结构、惠斯通电桥检测电路、CMOS信号处理电路；谐振式传感器集成了MEMS悬臂梁结构和CMOS信号处理电路，惠斯通电桥检测电路输出信号在CMOS信号处理电路内闭环传递并激励MEMS悬臂梁结构谐振；通过获取MEMS悬臂梁结构在吸附待测物前后的频率变化来计算待测物的质量。本公开具有CMOS‑MEMS集成度高、灵敏度高、可大规模制作等特点，相比于同类MEMS器件和电路模块，占用面积减少了近90％，因此，非常适用于便携式检测，尤其是可穿戴系统，能够广泛应用于生物医疗、食品安全、化学化工、航天国防等领域。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 发明人： | 王栎皓;朱银芳;赵俊元;杨晋玲;杨富华 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811363372.5 |
| 公开号： | CN109283236A |
| 代理机构： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
| 代理人： | 李坤 |
| 分类号： | G01N27/414(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |
| 主权项： | 1.一种集成CMOS‑MEMS的高灵敏谐振式传感器，其中，包括：微流道谐振腔；MEMS悬臂梁结构，所述MEMS悬臂梁结构包括自由端和支撑端，所述MEMS悬臂梁结构包括自由端伸入所述微流道谐振腔，所述MEMS悬臂梁结构自由端包括生化反应区，用于与待测物的特异性反应；惠斯通电桥检测电路，与所述悬臂梁结构的支撑端连接；CMOS信号处理电路，与惠斯通电桥检测电路相连；所述CMOS信号处理电路引出电极用于通信；惠斯通电桥检测电路输出信号在CMOS信号处理电路内闭环传递并激励MEMS悬臂梁结构谐振；通过获取所述MEMS悬臂梁结构在吸附待测物前后的频率变化来计算待测物的质量。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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