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一种CMOS-MEMS湿度传感器
| 专利名称： | 一种CMOS-MEMS湿度传感器 |
| 摘要： | 本申请公开了一种CMOS‑MEMS湿度传感器，包括：互补金属氧化物半导体ASIC读出电路和微机电系统MEMS湿度传感器，所述MEMS湿度传感器设置于ASIC读出电路上所述ASIC读出电路包括：衬底、加热电阻层、金属层和介质层，所述加热电阻层在衬底之上，所述金属层在加热电阻层之上，所述衬底、加热电阻层和金属层之间通过介质层隔开；所述MEMS湿度传感器包括：铝电极层、钝化层和湿度敏感层，所述钝化层在铝电极层之上，所述湿度敏感层在钝化层之上。通过将加热电阻设置在ASIC电路中，实现加热功能，满足CMOS标准工艺，使得CMOS‑MEMS集成湿度传感器可以在低温高湿的工况下稳定使用。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 浙江;33 |
| 申请人： | 浙江省北大信息技术高等研究院 |
| 发明人： | 肖韩;叶乐;於广军 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-07-02T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-10-18T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910591523.0 |
| 公开号： | CN110346423A |
| 代理机构： | 北京辰权知识产权代理有限公司 |
| 代理人： | 刘广达 |
| 分类号： | G01N27/22(2006.01);G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 311200 浙江省杭州市萧山区宁围镇市心北路857号288-1室 |
| 主权项： | 1.一种CMOS-MEMS湿度传感器，其特征在于，包括：互补金属氧化物半导体ASIC读出电路和微机电系统MEMS湿度传感器，所述MEMS湿度传感器设置于ASIC读出电路上； 所述ASIC读出电路包括：衬底、加热电阻层、金属层和介质层，所述加热电阻层在衬底之上，所述金属层在加热电阻层之上，所述衬底、加热电阻层和金属层之间通过介质层隔开； 所述MEMS湿度传感器包括：铝电极层、钝化层和湿度敏感层，所述钝化层在铝电极层之上，所述湿度敏感层在钝化层之上。 2.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述加热电阻层包括多根并联或串联的加热电阻。 3.如权利要求2所述的传感器，其特征在于，所述加热电阻掺杂多晶或N阱掺杂或P阱掺杂。 4.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述金属层的数量根据ASIC电路确定，各金属层之间通过介质层隔开，各所述金属层中，距离铝电极层最近的金属层为次顶层金属。 5.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述铝电极层在次顶层金属之上，呈叉指状阵列分布，所述铝电极层为顶层金属。 6.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述钝化层在顶层金属和次顶层金属之上，所述钝化层包括：氧化硅、氮化硅或其复合物，所述钝化层的厚度为80至150nm。 7.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述湿度敏感层包括：聚酰亚胺、氮化铝或石墨烯。 8.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述ASIC读出电路为1层多晶，多层金属的标准CMOS工艺。 9.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述衬底为硅衬底。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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