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一维硅基阵列微结构及其制备方法和在气体传感器中的应用
| 专利名称： | 一维硅基阵列微结构及其制备方法和在气体传感器中的应用 |
| 摘要： | 本发明公开一维硅基阵列微结构及其改性方法和在气体传感器中的应用，金属辅助化学刻蚀形成硅纳米线阵列和二次刻蚀进行纳米线表面改性。该发明为发展与CMOS工艺兼容的、具有高室温敏感性能的硅基气体传感器研究提供了一种有效的工艺增感路线，并且不需要各向异性刻蚀剂即可得到同种效果的阵列结构，在硅基气敏传感器领域具有重要的科学研究价值与实际应用前景。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 天津;12 |
| 申请人： | 天津大学 |
| 发明人： | 秦玉香;崔震;赵黎明;姜芸青 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201710642837.X |
| 公开号： | CN109324090A |
| 代理机构： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 |
| 代理人： | 王秀奎 |
| 分类号： | G01N27/12(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 300072 天津市南开区卫津路92号 |
| 主权项： | 1.一维硅基阵列微结构，其特征在于，硅基阵列由硅纳米线组成，硅纳米线长度为微米级，直径为纳米级，且硅纳米线不完全垂直于基底硅片，按照下述步骤进行：步骤1，使用金属辅助化学刻蚀法处理硅片，以使硅片表面形成硅纳米线阵列，使用氢氟酸和硝酸银的混合水溶液为刻蚀液，通过调整刻蚀液中氢氟酸和硝酸银浓度，以及刻蚀温度和时间，控制刻蚀形成硅纳米线的长度和直径步骤2，使用二次刻蚀进行硅纳米线的表面改性—将步骤1刻蚀处理得到的硅片从刻蚀液中取出后直接放入质量百分数65—68wt％的浓硝酸中进行二次刻蚀，再将硅片取出使用去离子水清洗后放入质量百分数20—30wt％的硝酸中，取出后干燥，得到一维硅基阵列微结构。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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