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原文传递 FIB样品座

专利名称：	FIB样品座
摘要：	本发明公开了一种FIB样品座，包括样品座本体和底座，其中样品座本体与底座为一体结构，所述样品座采用防磁导电金属制成，所述样品座本体为六面体结构，该六面体的底面与顶面平行，四个侧面中至少一个侧面垂直于底面且至少一个侧面与底面的夹角α为40°～55°。本发明的样品座可以同时放置平面TEM样品、截面TEM样品以及FIB标记样品，从而可以提高物性失效分析的效率，延长螺纹连接的使用寿命，保持FIB真空值以提高FIB电子束的分辨率；同时与底面形成夹角的侧面上可同时放置FIB标记样品，从而减少进行共聚焦点高度Eucentric Height的时间。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	上海;31
申请人：	上海华力集成电路制造有限公司
发明人：	尹圣楠;史燕萍
专利状态：	有效
申请号：	CN201811396491.0
公开号：	CN109342475A
代理机构：	上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：	栾美洁
分类号：	G01N23/2204(2018.01)I;G;G01;G01N;G01N23
申请人地址：	201315 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室
主权项：	1.一种FIB样品座，其特征在于，包括样品座本体和底座，其中样品座本体与底座为一体结构，所述样品座采用防磁导电金属制成，所述样品座本体为六面体结构，该六面体的底面与顶面平行，四个侧面中至少一个侧面垂直于底面且至少一个侧面与底面的夹角α为40°～55°。
所属类别：	发明专利