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基于Fano谐振的椭圆空气孔部分刻蚀型光子晶体传感器
| 专利名称： | 基于Fano谐振的椭圆空气孔部分刻蚀型光子晶体传感器 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于Fano谐振的氮化硅(SiNx)材料制作的椭圆空气孔部分刻蚀型二维光子晶体传感器设计，属于光子晶体传感器技术领域。本发明在传统椭圆空气孔全刻蚀型二维光子晶体结构基础上进行结构改良从而提高传感器的性能。具体而言，将椭圆空气孔全穿透的空气孔结构调整为部分深度刻蚀的部分穿透结构，通过调整光源入射方向从与光子晶体板平行到垂直，从而实现了对品质因子以及灵敏度的提高。该光子晶体传感器的尺寸大小较为灵活，可以根据实际需要进行调整制作。而且本设计采用氮化硅作为结构材料，提高了结构强度，部分刻蚀的制作工艺也减少了刻蚀剂使用量避免污染。本发明可以用于液体环境下的折射率传感领域。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 北京邮电大学 |
| 发明人： | 田慧平;王铮;王超;孙富君;肖泽坤 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811244602.6 |
| 公开号： | CN109470652A |
| 分类号： | G01N21/41(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21 |
| 申请人地址： | 100876 北京市海淀区西土城路10号 |
| 主权项： | 1.提出一种基于Fano谐振的椭圆空气孔部分刻蚀的二维光子晶体传感器结构，其特征在于：该传感器制作材料选择为氮化硅，通过调整椭圆空气孔刻蚀深度，使得光场中心局域在空气孔孔内和附近空间。其中光子晶体板板厚160nm，空气孔的刻蚀深度为板厚的一半，即80nm。此时，在垂直平面波光源的照射下，光子晶体板内将激发出两种模式，分别为类TE模和类TM模。其中类TE模的光场中心局域在空气孔正上下方，类TM模的光场中心局域在光子晶体板的正上下方。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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