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原文传递晶体电子元件在TEM制样过程中造成辐照损伤的清洁方法

专利名称：	晶体电子元件在TEM制样过程中造成辐照损伤的清洁方法
摘要：	本发明涉及一种晶体电子元件在TEM制样过程中造成辐照损伤的清洁方法其包括晶体电子元件样品制备，低电压下调整聚焦离子束系统中电子束、光阑及像散至预设状态，并进一步将所述晶体电子元件样品进行角度倾斜，以对所述晶体电子元件样品基于设定条件进行加工，以减少所述晶体电子元件样品的辐照损伤。本发明所提供的方法可在不降低制样效率下实现辐照损伤层的消除或减弱，所述晶体电子元件在TEM制样过程中造成辐照损伤的清洁方法还具有操作便捷、效率高等优点。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	福建;35
申请人：	宸鸿科技(厦门)有限公司
发明人：	李毅峰;杨詠钧;郑义明;林丽娟;杨培华;谢忠诚
专利状态：	有效
申请日期：	2019-04-17T00:00:00+0800
发布日期：	2019-08-02T00:00:00+0800
申请号：	CN201910307591.X
公开号：	CN110082177A
代理机构：	深圳市智享知识产权代理有限公司
代理人：	王琴;蒋慧
分类号：	G01N1/28(2006.01);G;G01;G01N;G01N1
申请人地址：	361006 福建省厦门市湖里区厦门火炬高新区信息光电园坂尚路199号
主权项：	1.一种晶体电子元件在TEM制样过程中造成辐照损伤的清洁方法，其特征在于：其包括以下步骤：步骤S1，提供基于聚焦离子束系统获得置于一基底之上的晶体电子元件样品，所述晶体电子元件样品具有预设厚度；步骤S2，选用基底之上非样品区域，在低电压下将聚焦离子束系统中电子束、光阑及像散调整至预设状态；步骤S3，将所述晶体电子元件样品进行角度倾斜，以对所述晶体电子元件样品基于设定条件进行加工，以减少所述晶体电子元件样品的辐照损伤。 2.如权利要求1中所述晶体电子元件在TEM制样过程中造成辐照损伤的清洁方法，其特征在于：上述步骤S2中，在低电压下调整聚焦离子束系统中电子束、光阑及像散至预设状态具体包括：进行低电压下电子束对中、光阑对中、像散X/Y对中，随后进行光阑孔对焦。 3.如权利要求2中所述晶体电子元件在TEM制样过程中造成辐照损伤的清洁方法，其特征在于：所述光阑孔的尺寸为150μm、80μm或30μm中任一种。 4.如权利要求1中所述晶体电子元件在TEM制样过程中造成辐照损伤的清洁方法，其特征在于：上述步骤S3中进一步包括将样品进行第一角度倾转，设置停留时间和加工时间，以对样品进行第一次加工；及将样品进行第二角度倾转，设置停留时间和加工时间，以对样品进行第二次加工。 5.如权利要求4中所述晶体电子元件在TEM制样过程中造成辐照损伤的清洁方法，其特征在于：所述第一角度与第二角度中具体倾转角度为5°-10°。 6.如权利要求4中所述晶体电子元件在TEM制样过程中造成辐照损伤的清洁方法，其特征在于：所述第一角度的倾转对应为正角度倾转，所述第二角度的倾转对应为负角度倾转。 7.如权利要求4中所述晶体电子元件在TEM制样过程中造成辐照损伤的清洁方法，其特征在于：所述停留时间为1μs-10μs，所述加工时间为30s-3min。 8.如权利要求1中所述晶体电子元件在TEM制样过程中造成辐照损伤的清洁方法，其特征在于：上述步骤S1具体包括以下步骤：提供晶体电子元件的初始样品；将晶体电子元件的初始样品制成样品片材，对所述样品片材进行表面预处理获得待处理样品后备用；进行聚焦离子束系统光阑像散校正；利用聚焦离子束系统将制得的待处理样品进行处理，以制得置于一基底之上的晶体电子元件样品。 9.如权利要求7中所述晶体电子元件在TEM制样过程中造成辐照损伤的清洁方法，其特征在于：对样品进行TEM制样时，采用30keV-40keV的加速电压对样品进行处理。 10.如权利要求1-9中任一项所述晶体电子元件在TEM制样过程中造成辐照损伤的清洁方法，其特征在于：在上述步骤S2中，在电压为5keV以下调整聚焦离子束系统中电子束、光阑及像散至预设状态。
所属类别：	发明专利