专利名称: |
一种基于CdTe薄膜的壁面热流密度测量方法 |
摘要: |
一种基于CdTe薄膜的壁面热流密度测量方法,先制备包含有两层不同荧光发射波长CdTe薄膜的测量试片,然对试片标定可以分别得到两层CdTe薄膜的峰值波长‑温度标定曲线,将试片放置于待测壁面通过高速相机拍摄,图像分析和反演计算得到两层CdTe薄膜的温度场,最后根据傅里叶(Fourier)导热定律即可计算出壁面的热流密度场。本发明通过光学方法能实现热流密度的场测量,测量精度高、分辨率高且频率响应快。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
陕西;61 |
申请人: |
西安交通大学 |
发明人: |
牛照程;张丹;王珍珍;王辉辉;邓才智 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2019-04-28T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-08-02T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201910349895.2 |
公开号: |
CN110082326A |
代理机构: |
西安智大知识产权代理事务所 |
代理人: |
何会侠 |
分类号: |
G01N21/64(2006.01);G;G01;G01N;G01N21 |
申请人地址: |
710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号 |
主权项: |
1.一种基于CdTe薄膜的壁面热流密度测量方法,其特征在于:包括如下步骤: 步骤1,水溶性CdTe薄膜的制备:首先将明胶与水以质量比1:6-1:10混合后加热得到明胶溶液,然后将与水的体积比为1:20的水溶性CdTe量子点滴入明胶溶液得到混合溶液,将混合溶液充分震荡,震荡后的混合溶液以50-90℃恒温加热,将混合溶液均匀旋涂于玻璃基底(1-4)表面制得第二CdTe薄膜(1-3); 步骤2,温度标定:通过温度控制器(9)控制加热器(8)将第二CdTe薄膜(1-3)加热至不同温度,紫外光源(2)激发第二CdTe薄膜(1-3)发射荧光,利用装有第二滤波片(4)的第二高速相机(6)采集不同温度下第二CdTe薄膜(1-3)的图像,通过计算机(7)对图像处理,提取不同温度下第二CdTe薄膜(1-3)的发光强度,将发光强度与温度一一对应并做线性拟合,得到第二CdTe薄膜(1-3)的第二光强-温度标定曲线a; 步骤3,将钢化玻璃膜(1-2)粘于第二CdTe薄膜(1-3)表面;将明胶与水以质量比1:6-1:10混合后加热得到明胶溶液,然后将与水的体积比为1:20的水溶性CdTe量子点滴入明胶溶液得到混合溶液,将混合溶液充分震荡,震荡后的混合溶液以50-90℃恒温加热,将混合溶液均匀旋涂于钢化玻璃膜(1-2)另一表面制得第一CdTe薄膜(1-1),玻璃基底(1-4)、第二CdTe薄膜(1-3)、钢化玻璃膜(1-2)和第一CdTe薄膜(1-1)形成的试片(1)制备完成; 步骤4,温度标定:通过温度控制器(9)控制加热器(8)将试片(1)加热至不同温度,加热器(8)的加热表面与第一CdTe薄膜(1-1)接触,紫外光源(2)激发第一CdTe薄膜(1-1)发射荧光,利用装有第一滤波片(3)的第一高速相机(5)采集不同温度下第一CdTe薄膜(1-1)的图像,通过计算机(7)对图像处理,提取不同温度下第一CdTe薄膜(1-1)的发光强度,将发光强度与温度一一对应并做线性拟合,得到第一CdTe薄膜(1-1)的第一光强-温度标定曲线b; 步骤5,热流密度测量:将标定完成的试片(1)放置于待测壁面,待测壁面与第一CdTe薄膜(1-1)接触,并用紫外光源(2)照射,利用第一高速相机(5)和第二高速相机(6)实时采集试片(1)发光强度并传送到计算机(7),将采集的发光强度与第一光强-温度标定曲线b和第二光强-温度标定曲线a作对比分别得到第一CdTe薄膜(1-1)和第二CdTe薄膜(1-3)的温度场,并根据傅里叶(Fourier)导热定律计算得到壁面的热流密度场;傅里叶(Fourier)导热定律如下: 式中q为热流密度,λ为钢化玻璃膜(1-2)的导热系数,Δx为钢化玻璃膜(1-2)的厚度,T1为第一CdTe薄膜(1-1)的温度场,T2为第二CdTe薄膜(1-3)的温度场。 2.根据权利要求1所述的一种基于CdTe薄膜的壁面热流密度测量方法,其特征在于:所述的钢化玻璃膜(1-2)要能够透过紫外光和特定波长的荧光。 3.根据权利要求1所述的一种基于CdTe薄膜的壁面热流密度测量方法,其特征在于:所述的第一CdTe薄膜(1-1)要分布均匀、厚度均匀地旋涂在钢化玻璃膜(1-2)上。 4.根据权利要求1所述的一种基于CdTe薄膜的壁面热流密度测量方法,其特征在于:所述的第一CdTe薄膜(1-3)要分布均匀、厚度均匀地旋涂在玻璃基底(1-4)上。 5.根据权利要求1所述的一种基于CdTe薄膜的壁面热流密度测量方法,其特征在于:所述的第一CdTe薄膜(1-1)峰值发光波长为540nm,所述的第二CdTe薄膜(1-3)峰值发光波长为740nm。 6.根据权利要求1所述的一种基于CdTe薄膜的壁面热流密度测量方法,其特征在于:所述的第一滤波片(3)能完全滤掉第一CdTe薄膜(1-1)所发出荧光波段以外的所有光源,第二滤波片(4)能完全滤掉第二CdTe薄膜(1-3)所发出荧光波段以外的所有光源。 7.根据权利要求1所述的一种基于CdTe薄膜的壁面热流密度测量方法,其特征在于:所述的紫外光源(2)发光波长为390nm。 8.根据权利要求1所述的一种基于CdTe薄膜的壁面热流密度测量方法,其特征在于:所述的第一滤波片(3)是与第一CdTe薄膜(1-1)发光波长相匹配的带通滤镜,第二滤波片(4)是与第二CdTe薄膜(1-3)发光波长相匹配的带通滤镜。 9.根据权利要求1所述的一种基于CdTe薄膜的壁面热流密度测量方法,其特征在于:所述的第一高速相机(5)和第二高速相机(6)同步采集数据。 |
所属类别: |
发明专利 |