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原文传递一维纳米材料薄膜的密度测量方法及密度均匀性检测方法

专利名称：	一维纳米材料薄膜的密度测量方法及密度均匀性检测方法
摘要：	提供了一种一维纳米材料薄膜的密度测量方法和一维纳米材料薄膜的密度均匀性检测方法。该一维纳米材料薄膜的密度测量方法包括测量一维纳米材料薄膜对应的接触角；以及基于接触角确定一维纳米材料薄膜的密度。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	北京;11
申请人：	北京华碳元芯电子科技有限责任公司
发明人：	韩杰
专利状态：	有效
申请日期：	2017-11-21T00:00:00+0800
发布日期：	2019-05-28T00:00:00+0800
申请号：	CN201711161591.0
公开号：	CN109813628A
代理机构：	北京鼎承知识产权代理有限公司
代理人：	李伟波;孟奎
分类号：	G01N9/00(2006.01);G;G01;G01N;G01N9
申请人地址：	100086 北京市海淀区中关村北大街123号64号楼(2415室)
主权项：	1.一维纳米材料薄膜的密度测量方法，包括：测量所述一维纳米材料薄膜对应的接触角；以及基于所述接触角确定所述一维纳米材料薄膜的密度。 2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测量所述一维纳米材料薄膜对应的接触角的步骤包括：在所述一维纳米材料薄膜上形成液滴；以及通过角度测量装置或高度测量装置手动地测量所述液滴相对于所述一维纳米材料薄膜的接触角。 3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测量所述一维纳米材料薄膜对应的接触角的步骤包括：使用接触角测量仪来测量所述一维纳米材料薄膜对应的接触角。 4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述测量所述液滴的接触角的步骤包括：测量所述液滴的多个接触角，以及计算所述多个接触角的平均值。 5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基于所述接触角确定所述一维纳米材料薄膜的密度的步骤包括：基于所述平均值确定所述一维纳米材料的密度。 6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述一维纳米材料薄膜包括以下薄膜之一：碳纳米管薄膜、硅纳米线薄膜和银纳米线薄膜。 7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：建立接触角与一维纳米材料的密度的对应关系，所述基于所述接触角确定所述一维纳米材料薄膜的密度的步骤还包括：根据所述对应关系，确定出与所述接触角相对应的一维纳米材料薄膜的密度。 8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述建立接触角与一维纳米材料的密度的对应关系的步骤还包括：测量多个一维纳米材料薄膜对应的接触角，其中所述多个一维纳米材料薄膜具有不同的密度；以及基于测量的接触角与所述多个不同的密度建立所述对应关系。 9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述接触角确定所述一维纳米材料薄膜的密度的步骤包括：根据预先确定的接触角与一维纳米材料薄膜的密度的对应关系，确定出与所述接触角对应的所述一维纳米材料薄膜的密度。 10.一维纳米材料薄膜的密度均匀性检测方法，其特征在于，所述方法包括：在一维纳米材料薄膜上的多个位置处执行如权利要求1至9中任一项所述的一维纳米材料薄膜的密度测量方法，以获得所述一维纳米材料薄膜在所述多个位置处的密度；以及基于所述一维纳米材料薄膜在所述多个位置处的密度确定所述一维纳米材料薄膜的密度均匀性。
所属类别：	发明专利