专利名称: |
一种钨极氩弧焊缝中钨夹杂的检测装置与检测方法 |
摘要: |
本发明公开了一种钨极氩弧焊缝中钨夹杂的检测装置,包括激发源、探测器、信号采集器、控制器、数据分析处理单元和能谱分析软件;所述激发源的照射部朝向待测元件的焊缝位置,并对其焊缝进行照射;所述探测器的探测部朝向待测元件的焊缝位置,并对其焊缝进行探测;所述探测器的信号输出端连接信号采集器的信号输入端,所述信号采集器的信号输出端连接控制器的信号输入端,所述控制器的第一信号输出端连接数据分析处理单元的信号输入端,所述数据分析处理单元的信号输出端连接能谱分析软件的信号输入端。具有在检测焊缝质量时不会破坏产品本身的结构,以及能快速获得检测结果的优点。本发明还公开了一种钨极氩弧焊缝中钨夹杂的检测方法。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
四川;51 |
申请人: |
成都理工大学 |
发明人: |
辜润秋;赖万昌;邹永祥;葛良全;王广西;翟娟;李丹;范晨;马恒旭 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2019-04-30T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-08-13T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201910364642.2 |
公开号: |
CN110118790A |
代理机构: |
成都环泰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) |
代理人: |
李斌;黄青 |
分类号: |
G01N23/18(2018.01);G;G01;G01N;G01N23 |
申请人地址: |
610000 四川省成都市成华区二仙桥东三路1号 |
主权项: |
1.一种钨极氩弧焊缝中钨夹杂的检测装置,其特征在于,包括激发源、探测器、信号采集器、控制器、数据分析处理单元和能谱分析软件;所述激发源的照射部朝向待测元件的焊缝位置,并对其焊缝进行照射;所述探测器的探测部朝向待测元件的焊缝位置,并对其焊缝进行探测;所述探测器的信号输出端连接所述信号采集器的信号输入端,所述信号采集器的信号输出端连接所述控制器的信号输入端,所述控制器的第一信号输出端连接所述数据分析处理单元的信号输入端,所述数据分析处理单元的信号输出端连接所述能谱分析软件的信号输入端。 2.根据权利要求1所述的一种钨极氩弧焊缝中钨夹杂的检测装置,其特征在于,所述激发源为同位素源或X射线管。 3.根据权利要求2所述的一种钨极氩弧焊缝中钨夹杂的检测装置,其特征在于,所述激发源为X射线管,该检测装置还包括电源模块,所述电源模块包括低压电源模块和高压电源模块,所述探测器的第一信号输入端连接所述低压电源模块,所述低压电源模块的信号输入端连接所述控制器的第二信号输出端;所述探测器的第二信号输入端连接所述高压电源模块的信号输出端,所述高压电源模块的信号输入端连接所述控制器的第三信号输出端。 4.根据权利要求1所述的一种钨极氩弧焊缝中钨夹杂的检测装置,其特征在于,所述探测器为电致冷Si-PIN半导体探测器、电致冷SDD半导体探测器、电致冷CdTe半导体探测器、电致冷HPGe半导体探测器中的任意一种。 5.一种如权利要求1-4中任意一项所述的钨极氩弧焊缝中钨夹杂的检测装置的检测方法,其特征在于,包括如下检测步骤: S1、照射待测元件的焊缝; S2、探测焊缝中的特征X射线; S3、采集特征X射线的数据; S4、分析特征X射线中的钨元素含量; S5、实现谱线采集控制、谱数据处理、含量标定与分析、数据存储与数据共享。 |
所属类别: |
发明专利 |