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原文传递一种通过EBSD技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法

专利名称：	一种通过EBSD技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法
摘要：	一种通过EBSD技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法。该方法主要根据计算晶面的样品坐标方向，结合EBSD系统中样品坐标系与晶体坐标系的转换关系，以及通过晶面法向量公式计算与转化，最终获得与观察晶面垂直的晶面取向信息。该方法计算过程如下步骤：先制备氧化膜与基体的EBSD样品。在带有EBSD探头的扫描电镜进行EBSD测试，最终获得基体的晶体取向信息‑欧拉角信息；通过EBSD系统配套的CHANNEL5软件获得基体中晶粒的IPF图，通过测量软件测定与氧化膜接触的晶粒在样品坐标系下的法向。然后根据测定晶粒的欧拉角信息，通过样品坐标系与晶体坐标系的矩阵转换关系，最终得出垂直该晶粒的晶面的法向量。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	辽宁;21
申请人：	中国科学院金属研究所
发明人：	李阁平;张英东;刘承泽;袁福森;韩福洲;穆罕默德·阿里;郭文斌;马广财;顾恒飞
专利状态：	有效
申请日期：	2019-04-12T00:00:00+0800
发布日期：	2019-08-16T00:00:00+0800
申请号：	CN201910293624.X
公开号：	CN110133022A
代理机构：	沈阳晨创科技专利代理有限责任公司
代理人：	张晨
分类号：	G01N23/203(2006.01);G;G01;G01N;G01N23
申请人地址：	110015 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
主权项：	1.一种通过EBSD技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法，其特征在于：该方法采用EBSD技术，通过测定材料氧化膜与基体间晶面的样品坐标系的法向方向，计算出与氧化膜接触的晶面取向信息。 2.按照权利要求1所述的通过EBSD技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法，其特征在于：所述EBSD系统中默认欧拉角时，晶体坐标系的Yα、Zα轴与样品坐标系的Y、Z轴平行，通过矩阵T修正。 3.按照权利要求1所述的通过EBSD技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法，其特征在于：根据EBSD测定的晶面取向信息，得出IPF图，根据Ruler软件可以直接在IPF图上测量与氧化膜接触晶面的法向量(样品坐标系)，得出与氧化膜接触晶面法向量的近似解。 4.按照权利要求1所述的通过EBSD技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法，其特征在于：氧化膜与基体的接触面为曲面，即基体每一个晶面与氧化膜的接触面的法向量(样品坐标系)应该单独计算获得。 5.按照权利要求1所述的通过EBSD技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法，其特征在于：根据计算晶面的法向量(样品坐标系)，通过转置矩阵把样品坐标系下的晶面法向量转成晶体坐标系下的晶面法向量。 6.按照权利要求1所述的通过EBSD技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法，其特征在于：通过该方法求出与氧化膜接触晶面的法向量(晶体坐标系下的三指数坐标)，然后通过公式把所求的法向量转换为相对应的晶面指数，如果是FCC、BCC结构时，法向量的指数就是相对应的晶面指数，即[xyz]→{xyz}。 7.按照权利要求1所述的通过EBSD技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法，其特征在于：材料为HCP结构时，法向量的指数[HKL]转换为晶面的指数就要考虑不同HCP结构的c/a值，先通过三指数转换四指数坐标，根据公式把法向量指数转化晶面指数。 8.按照权利要求1所述的通过EBSD技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法，其特征在于：通过EBSD测定晶面的取向信息-欧拉角，根据观察面所在的样品坐标系与晶体坐标系的转换关系，可以测定不同方向(样品坐标系)所对应的晶体坐标系下的晶面弥勒指数。 9.按照权利要求1所述的通过EBSD技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法，其特征在于：磨掉样品截面2-10微米，并且测定截面基体晶面取向，然后通过该方法计算氧化膜底部晶面取向，获得一系列计算结果后可以获得材料整个氧化膜底部的晶面取向(近似求解)。 10.按照权利要求1所述的通过EBSD技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法，其特征在于：该方法应用于HCP、BCC、FCC等不同晶体结构材料的氧化膜下的晶面指数计算。
所属类别：	发明专利