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一种基于表面二氧化硅改性的高选择性二氧化锡气体传感器
| 专利名称： | 一种基于表面二氧化硅改性的高选择性二氧化锡气体传感器 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于表面SiO2改性的高选择性氢气传感器。它以二甲基二乙氧基硅烷为硅源，利用化学气相沉积技术在SnO2气体传感器表面沉积一层致密SiO2层而得到。本发明提供的高选择性氢气传感器选择性大幅提高，可有效降低乙醇、丙酮等大分子气体对氢气的干扰。氢气检测灵敏度高，对氢气的响应值最大为140左右，工作温度最低可达到200℃。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 湖北;42 |
| 申请人： | 武汉理工大学 |
| 发明人： | 张覃轶;孟鑫 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-05-06T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-08-30T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910372263.8 |
| 公开号： | CN110186960A |
| 代理机构： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 |
| 代理人： | 乔宇 |
| 分类号： | G01N27/12(2006.01);G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号 |
| 主权项： | 1.一种基于表面SiO2改性的高选择性氢气传感器，其特征在于：它以二甲基二乙氧基硅烷为硅源，利用化学气相沉积技术在SnO2气体传感器表面沉积一层致密SiO2层而得到。 2.根据权利要求1所述的高选择性氢气传感器，其特征在于：化学气相沉积温度为500℃-600℃，沉积时间为2-10h。 3.根据权利要求1所述的高选择性氢气传感器，其特征在于：化学气相沉积温度优选为550-600℃，沉积时间为4-8h。 4.权利要求1所述的基于表面SiO2改性的高选择性氢气传感器的制备方法，其特征在于：步骤如下： 提供SnO2气体传感器； 提供硅源物质二甲基二乙氧基硅烷(DEMS)，控制CVD条件，利用CVD法在SnO2气体传感器表面沉积一层致密SiO2层。 5.根据权利要求4所述的基于表面SiO2改性的高选择性氢气传感器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤： 1)称量适量的市售二氧化锡粉末，和印油快速用力研磨，将印油与粉末研磨均匀，使其充分混合； 2)将步骤1)所得的浆料利用丝网印刷法印制于空白气体传感器基片上； 3)置于干燥箱中，干燥使印油挥发； 4)将步骤3)所得气体传感器移至马弗炉中，600℃烧结2小时，得到空白的SnO2气体传感器。 6.根据权利要求5所述的基于表面SiO2改性的高选择性氢气传感器的制备方法，其特征在于：步骤3)的干燥温度为60℃，干燥1小时。 7.根据权利要求5所述的基于表面SiO2改性的高选择性氢气传感器的制备方法，其特征在于：步骤4)中先升温为200℃，恒温10min，然后升温为400℃，恒温10min，最后将马弗炉温度设置为600℃，恒温2h。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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