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一种高性能二氧化硅-二氧化锡氢气传感器
| 专利名称： | 一种高性能二氧化硅-二氧化锡氢气传感器 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高性能二氧化硅‑二氧化锡氢气传感器。通过丝网印刷技术将所制备的介孔SiO2印刷到SnO2气体传感器的表面形成改性层，得到高性能的氢气传感器。通过介孔SiO2改性的SnO2气体传感器，由于表面改性膜的存在，提高了其对于氢气的灵敏度，并降低了苯、丙酮等大分子气体对氢气的干扰，有效提高了其对于氢气的选择性。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 湖北;42 |
| 申请人： | 武汉理工大学 |
| 发明人： | 张覃轶;姚志伟 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-05-07T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-08-23T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910376316.3 |
| 公开号： | CN110161085A |
| 代理机构： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 |
| 代理人： | 乔宇 |
| 分类号： | G01N27/12(2006.01);G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号 |
| 主权项： | 1.一种高性能SiO2-SnO2氢气传感器，其特征在于：包括SnO2气体传感器和印压在SnO2气体传感器上的介孔SiO2改性层，所述的介孔SiO2改性层厚度为7-23μm。 2.根据权利要求1所述的高性能SiO2-SnO2氢气传感器，其特征在于：所述的介孔SiO2改性层厚度优选为15-23μm。 3.权利要求1所述的高性能SiO2-SnO2氢气传感器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤： 1)将介孔SiO2粉末和印油快速用力研磨，将印油与粉末研磨均匀，使其充分混合； 2)将步骤1)所得的浆料利用丝网印刷法印制于SnO2气体传感器基片上； 3)置于干燥箱中，干燥使印油挥发； 4)多层印制：重复步骤(2)和(3)将印有1层介孔SiO2的SnO2气体传感器加印到不同层数； 5)将步骤4)所得气体传感器干燥，然后移至马弗炉中450-500℃烧结得到空白的SnO2气体传感器。 4.根据权利要求3所述的高性能SiO2-SnO2氢气传感器的制备方法，其特征在于：介孔SiO2粉末孔道结构清晰，孔径均匀，具有良好的介孔特性，介孔孔径为2-3nm。 5.根据权利要求3所述的高性能SiO2-SnO2氢气传感器的制备方法，其特征在于：所述步骤1)中印油和介孔SiO2粉末的质量比10:1-8:1。 6.根据权利要求3所述的高性能SiO2-SnO2氢气传感器的制备方法，其特征在于：步骤3)的干燥温度为60℃，干燥1小时。 7.根据权利要求3所述的高性能SiO2-SnO2氢气传感器的制备方法，其特征在于：步骤5)中烧结为先升温为150℃，恒温20min，然后升温为300℃，恒温20min，最后将马弗炉温度设置为450-500℃，恒温2h。 8.根据权利要求3所述的高性能SiO2-SnO2氢气传感器的制备方法，其特征在于：所述的印制层数为2-8层。 9.根据权利要求3所述的高性能SiO2-SnO2氢气传感器的制备方法，其特征在于：所述SnO2气体传感器的制备方法： 1)称量适量的市售二氧化锡粉末，和印油快速用力研磨，将印油与粉末研磨均匀，使其充分混合； 2)将步骤1)所得的浆料利用丝网印刷法印制于空白气体传感器基片上； 3)置于干燥箱中，干燥使印油挥发； 4)将步骤3)所得气体传感器移至马弗炉中，600℃烧结2小时，得到空白的SnO2气体传感器。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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