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原文传递发射器结构和制造方法

专利名称：	发射器结构和制造方法
摘要：	本发明涉及一种发射器结构，包括具有薄膜装置的基板。薄膜装置至少包括在不同基板平面中的第一薄膜，第一加热路径和第二加热路径。第一加热路径和第二加热路径相对于彼此定位，使得第一加热路径和第二加热路径在一共同平面上的投影至少部分地彼此并置在该共同平面中。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	德国;DE
申请人：	英飞凌科技股份有限公司
发明人：	D·图姆波德;S·安辛格尔;C·格拉策
专利状态：	有效
申请日期：	2019-02-02T00:00:00+0800
发布日期：	2019-08-16T00:00:00+0800
申请号：	CN201910107760.5
公开号：	CN110132848A
代理机构：	北京市金杜律师事务所
代理人：	郑立柱
分类号：	G01N21/17(2006.01);G;G01;G01N;G01N21
申请人地址：	德国诺伊比贝尔格
主权项：	1.一种发射器结构(10，10'，10”，10”'，10””，10””'，10”””，10”””')，具有以下特征：具有带有薄膜装置的基板，所述薄膜装置至少包括第一薄膜(12，12'，12”，12”')、第一加热路径(12a，12a'，12a”，12a”'，12a””，12a””'，12a”””，12a”””'，12b'，12b”，12b”'，12b””，12b””'，12b”””，12b”””')和第二加热路径(14a，14a'，14a”，14a”'，14a””，14a””'，14a”””，14a”””'，14b'，14b”，14b”'，14b””，14b””'，14b”””，14b”””')，其中，所述第一加热路径(12a，12a'，12a”，12a”'，12a””，12a””'，12a”””，12a”””'，12b'，12b”，12b”'，12b””，12b””'，12b”””，12b”””')和所述第二加热路径(14a，14a'，14a”，14a”'，14a””，14a””'，14a”””，14a”””'，14b'，14b”，14b”'，14b””，14b””'，14b”””，14b”””')布置在不同的基板平面中并且相对彼此定位，使得所述第一加热路径(12a，12a'，12a”，12a”'，12a””，12a””'，12a”””，12a”””'，12b'，12b”，12b”'，12b””，12b””'，12b”””，12b”””')和所述第二加热路径(14a，14a'，14a”，14a”'，14a””，14a””'，14a”””，14a”””'，14b'，14b”，14b”'，14b””，14b””'，14b”””，14b”””')在一共同平面(GE)上的投影在所述共同平面(GE)中至少部分地彼此相邻。 2.根据权利要求1所述的发射器结构(10，10'，10”，10”'，10””，10””'，10”””，10”””')，其中，所述薄膜装置具有所述第一薄膜(12，12'，12”，12”')，其中所述第一薄膜具有在所述第一薄膜(12，12'，12”，12”')的第一主表面上的所述第一加热路径(12a，12a'，12a”，12a”'，12a””，12a””'，12a”””，12a”””'，12b'，12b”，12b”'，12b””，12b””'，12b”””，12b”””')和在所述第一薄膜(12，12'，12”，12”')的与所述第一主表面相对的第二主表面上的所述第二加热路径(14a，14a'，14a”，14a”'，14a””，14a””'，14a”””，14a”””'，14b'，14b”，14b”'，14b””，14b””'，14b”””，14b”””')。 3.根据权利要求1所述的发射器结构(10，10'，10”，10”'，10””，10””'，10”””，10”””')，其中，所述薄膜装置具有带有所述第一加热路径(12a，12a'，12a”，12a”'，12a””，12a””'，12a”””，12a”””'，12b'，12b”，12b”'，12b””，12b””'，12b”””，12b”””')的所述第一薄膜(12，12'，12”，12”')和带有所述第二加热路径(14a，14a'，14a”，14a”'，14a””，14a””'，14a”””，14a”””'，14b'，14b”，14b”'，14b””，14b””'，14b”””，14b”””')的第二薄膜(14，14'，14”，14”')，其中，所述第一薄膜(12，12'，12”，12”')和所述第二薄膜(14，14'，14”，14”')布置在不同的基板平面中，从而使得所述第一加热路径(12a，12a'，12a”，12a”'，12a””，12a””'，12a”””，12a”””'，12b'，12b”，12b”'，12b””，12b””'，12b”””，12b”””')和所述第二加热路径(14a，14a'，14a”，14a”'，14a””，14a””'，14a”””，14a”””'，14b'，14b”，14b”'，14b””，14b””'，14b”””，14b”””')被布置在不同的基板平面中。 4.根据权利要求1至3中任一项所述的发射器结构(10，10'，10”，10”'，10””，10””'，10”””，10”””')，其中，所述第一加热路径(12a，12a'，12a”，12a”'，12a””，12a””'，12a”””，12a”””'，12b'，12b”，12b”'，12b””，12b””'，12b”””，12b”””')的投影至少在沿着所述第一加热路径和所述第二加热路径(14a，14a'，14a”，14a”'，14a””，14a””'，14a”””，14a”””'，14b'，14b”，14b”'，14b””，14b””'，14b”””，14b”””')的区域中与所述第二加热路径(14a，14a'，14a”，14a”'，14a””，14a””'，14a”””，14a”””'，14b'，14b”，14b”'，14b””，14b””'，14b”””，14b”””')的投影彼此间隔开。 5.根据前述权要求中任一项所述的发射器结构(10，10'，10”，10”'，10””，10””'，10”””，10”””')，其中，所述第一加热路径(12a，12a'，12a”，12a”'，12a””，12a””'，12a”””，12a”””'，12b'，12b”，12b”'，12b””，12b””'，12b”””，12b”””')的投影和所述第二加热路径(14a，14a'，14a”，14a”'，14a””，14a””'，14a”””，14a”””'，14b'，14b”，14b”'，14b””，14b””'，14b”””，14b”””')的投影至少在沿着所述第一加热路径和所述第二加热路径(14a，14a'，14a”，14a”'，14a””，14a””'，14a”””，14a”””'，14b'，14b”，14b”'，14b””，14b””'，14b”””，14b”””')的区域中彼此并置或重叠。 6.根据前述权利要求中任一项所述的发射器结构(10，10'，10”，10”'，10””，10””'，10”””，10”””')，其中，所述第一薄膜(12，12'，12”，12”')形成发射区域，所述发射区域被设计为发射红外辐射。 7.根据前述权利要求中任一项所述的发射器结构(10，10'，10”，10”'，10””，10””'，10”””，10”””')，其中，所述第一加热路径(12a，12a'，12a”，12a”'，12a””，12a””'，12a”””，12a”””'，12b'，12b”，12b”'，12b””，12b””'，12b”””，12b”””')的投影面积与所述第二加热路径(14a，14a'，14a”，14a”'，14a””，14a””'，14a”””，14a”””'，14b'，14b”，14b”'，14b””，14b””'，14b”””，14b”””')的投影面积一同形成比所述第一加热路径或所述第二加热路径(14a，14a'，14a”，14a”'，14a””，14a””'，14a”””，14a”””'，14b'，14b”，14b”'，14b””，14b””'，14b”””，14b”””')单独的投影面积更大的投影面积。 8.根据权利要求7的发射器结构(10，10'，10”，10”'，10””，10””'，10”””，10”””')，其中，所述第一加热路径和所述第二加热路径(14a，14a'，14a”，14a”'，14a””，14a””'，14a”””，14a”””'，14b'，14b”，14b”'，14b””，14b””'，14b”””，14b”””')一同在所述共同平面上(GE)上的投影面积是所述第一加热路径(12a，12a'，12a”，12a”'，12a””，12a””'，12a”””，12a”””'，12b'，12b”，12b”'，12b””，12b””'，12b”””，12b”””')的投影面积或所述第二加热路径(14a，14a'，14a”，14a”'，14a””，14a””'，14a”””，14a”””'，14b'，14b”，14b”'，14b””，14b””'，14b”””，14b”””')的投影面积的1.3倍、1.5倍或者2.0倍。 9.根据权利要求1至8中任一项所述的发射器结构(10，10'，10”，10”'，10””，10””'，10”””，10”””')，其中，所述基板(20，20”')包括开口(24)，所述薄膜装置布置在所述开口中。 10.根据权利要求1至8中任一项所述的发射器结构(10，10'，10”，10”'，10””，10””'，10”””，10”””')，其中，所述基板(20，20”')包括沟槽(22)，所述薄膜装置布置在所述沟槽中，其中，所述第二薄膜(12，12'，12”，12”'；14，14'，14”，14””)与所述沟槽(22)一同形成空腔。 11.根据权利要求3至10中任一项所述的发射器结构(10，10'，10”，10”'，10””，10””'，10”””，10”””')，其中，所述第一薄膜(12，12'，12”，12””)和所述第二薄膜(14，14'，14”，14”')彼此间隔开，从而在所述第一薄膜(12，12'，12”，12””)和所述第二薄膜(14，14'，14”，14”')之间形成间隙(13)。 12.根据权利要求11所述的发射器结构(10，10'，10”，10”'，10””，10””'，10”””，10”””')，其中，所述间隙(13)以气体填充。 13.根据权利要求11或12所述的发射器结构(10，10'，10”，10”'，10””，10””'，10”””，10”””')，其中，所述第一薄膜(12，12'，12”，12”')和所述第二薄膜(14，14'，14”，14”')中的至少一个包括通风口，从而使得封闭在所述间隙(13)中的气体体积在该气体体积膨胀时能够向外逸出；和/或其中，所述基板(20，20”')包括用于所述间隙(13)的通风口，使得被封闭的气体体积在该气体体积膨胀时能够向外逸出。 14.根据权利要求3至13中任一项所述的发射器结构(10，10'，10”，10”'，10””，10””'，10”””，10”””')，其中，所述发射器结构具有带有第三加热路径的第三薄膜，其中，所述第三加热路径相对于所述第一和所述第二加热路径(14a，14a'，14a”，14a”'，14a””，14a””'，14a”””，14a”””'，14b'，14b”，14b”'，14b””，14b””'，14b”””，14b”””')中的至少一个布置为，使得所述第三加热路径在所述共同平面(GE)上的投影处于所述第二加热路径(14a，14a'，14a”，14a”'，14a””，14a””'，14a”””，14a”””'，14b'，14b”，14b”'，14b””，14b””'，14b”””，14b”””')的投影旁边和/或处于所述第一加热路径(12a，12a'，12a”，12a”'，12a””，12a””'，12a”””，12a”””'，12b'，12b”，12b”'，12b””，12b””'，12b”””，12b”””')的投影旁边。 15.根据前述权利要求中任一项所述的发射器结构(10，10'，10”，10”'，10””，10””'，10”””，10”””')，其中，所述第一加热路径(12a，12a'，12a”，12a”'，12a””，12a””'，12a”””，12a”””'，12b'，12b”，12b”'，12b””，12b””'，12b”””，12b”””')和/或所述第二加热路径(14a，14a'，14a”，14a”'，14a””，14a””'，14a”””，14a”””'，14b'，14b”，14b”'，14b””，14b””'，14b”””，14b”””')具有环形形状；或其中，所述第一加热路径(12a，12a'，12a”，12a”'，12a””，12a””'，12a”””，12a”””'，12b'，12b”，12b”'，12b””，12b””'，12b”””，12b”””')和/或所述第二加热路径(14a，14a'，14a”，14a”'，14a””，14a””'，14a”””，14a”””'，14b'，14b”，14b”'，14b””，14b””'，14b”””，14b”””')具有曲折的形状。 16.根据前述权利要求中任一项所述的发射器结构(10，10'，10”，10”'，10””，10””'，10”””，10”””')，其中，所述薄膜装置具有另外的薄膜，所述另外的薄膜设计成将由所述第一加热路径和/或所述第二加热路径(14a，14a'，14a”，14a”'，14a””，14a””'，14a”””，14a”””'，14b'，14b”，14b”'，14b””，14b””'，14b”””，14b”””')感应产生的热能分布在所述另外的薄膜的侧向面上并发射红外辐射。 17.根据前述权利要求中任一项所述的发射器结构(10，10'，10”，10”'，10””，10””'，10”””，10”””')，其中，所述第一加热路径和/或第二加热路径(14a，14a'，14a”，14a”'，14a””，14a””'，14a”””，14a”””'，14b'，14b”，14b”'，14b””，14b””'，14b”””，14b”””')包括掺杂。 18.根据前述权利要求中任一项所述的发射器结构(10，10'，10”，10”'，10””，10””'，10”””，10”””')，其中，所述发射器结构包括ASIC，所述ASIC设计成对所述第一加热路径和第二加热路径(14a，14a'，14a”，14a”'，14a””，14a””'，14a”””，14a”””'，14b'，14b”，14b”'，14b””，14b””'，14b”””，14b”””')进行驱控。 19.一种非色散红外传感器系统，具有红外传感器元件和根据前述权利要求中任一项所述的发射器结构(10，10'，10”，10”'，10””，10””'，10”””，10”””')，所述发射器结构设计用于发射红外辐射。 20.一种用于气体探测的光声光谱系统，具有红外传感器元件和根据前述权利要求中任一项所述的发射器结构(10，10'，10”，10”'，10””，10””'，10”””，10”””')，所述发射器结构设计用于发射红外辐射。 21.一种用于制造发射器结构的方法(10，10'，10”，10”'，10””，10””'，10”””，10”””')，具有以下特征：在基板(20，20”)中形成薄膜装置，所述薄膜装置至少包括第一薄膜(12，12'，12”，12”')、第一加热路径(12a，12a'，12a”，12a”'，12a””，12a””'，12a”””，12a”””'，12b'，12b”，12b”'，12b””，12b””'，12b”””，12b”””')和第二加热路径(14a，14a'，14a”，14a”'，14a””，14a””'，14a”””，14a”””'，14b'，14b”，14b”'，14b””，14b””'，14b”””，14b”””')，其中，所述第一加热路径(12a，12a'，12a”，12a”'，12a””，12a””'，12a”””，12a”””'，12b'，12b”，12b”'，12b””，12b””'，12b”””，12b”””')和所述第二加热路径(14a，14a'，14a”，14a”'，14a””，14a””'，14a”””，14a”””'，14b'，14b”，14b”'，14b””，14b””'，14b”””，14b”””')布置在不同的基板平面中并且相对彼此定位，使得所述第一加热路径(12a，12a'，12a”，12a”'，12a””，12a””'，12a”””，12a”””'，12b'，12b”，12b”'，12b””，12b””'，12b”””，12b”””')和所述第二加热路径(14a，14a'，14a”，14a”'，14a””，14a””'，14a”””，14a”””'，14b'，14b”，14b”'，14b””，14b””'，14b”””，14b”””')在一共同平面(GE)上的投影在所述共同平面(GE)中至少部分地彼此相邻。 22.根据权利要求21所述的方法，其中，所述方法包括在形成所述薄膜装置之前引入沟槽(22)或开口(24)的步骤，其中，形成所述薄膜装置的步骤设计为使得所述薄膜装置设置在所述开口(24)或所述沟槽(22)中。
所属类别：	发明专利